搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 半导体”相关记录1483条 . 查询时间(0.157 秒)
中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展（图）
电子器件 磁场 拓扑
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2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而，经过二十年的科学探索，人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如，自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释，面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此，中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
苏州纳米所梁伟团队合作在1μm外腔超窄线宽半导体激光研究领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光 原子量子
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2024/4/10
1μm波长的窄线宽激光在原子量子、引力探测和光钟等领域都有重要应用。梁伟团队和南京大学、华东师范大学合作，取得1μm窄线宽外腔半导体激光研究进展。本研究中，通过使用中空的高品质因子FP光腔和自注入锁定技术，实现了紧凑的1μm超窄线宽半导体激光，其洛伦兹线宽约41Hz，和稳频光梳拍频线宽为510.3Hz,1s频率稳定性达到10^-11，同时可通过PZT实现快速的数百MHz的频率调制。
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
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2024/3/15
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
半导体材料是芯片工业的基础，新型半导体材料的研发为提升和扩展半导体芯片的功能带来了更多机遇。近年来，随着器件性能的快速提升，有机无机杂化铅卤素钙钛矿材料已成为公认极具前景的新型半导体材料。
中国科学院化学所在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得进展（图）
集成聚合物 半导体 分子设计
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2024/2/25
随着材料科学和器件技术的发展，可拉伸元件和柔性显示器因在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而备受关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料，发挥着重要作用，并逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是，具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发，对先进和新兴制造技术颇为重要。而通过多级制造实现多功能应用是有机半导体领域的重要挑...
中国科学院化学研究所刘云圻课题组在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得新进展（图）
刘云圻 集成 聚合物半导体 分子
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2024/3/17
随着材料科学和器件技术的快速发展，可拉伸元件和柔性显示器因其在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而引起了广泛的关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料在其中起着至关重要的作用，逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是，具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发，对先进和新兴制造技术至关重要。然而，通过多级制造实现多功能应用...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
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2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展（图）
芯片 工业机器人 电路
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2024/2/28
二维（2D）和三维（3D）双模视觉信息在自动驾驶、工业机器人、人机交互等前沿领域具有广泛的应用前景。但是2D和3D两种模式视觉信息在处理方法上存在较大的差异，使得边缘端计算型处理器难以兼顾两种模式的处理需求；同时以深度学习为代表的人工智能算法的计算密集和高数据复用率等特点进一步增加了处理器电路的设计复杂度，导致边缘端实现双模视觉信息智能处理的芯片设计面临大的挑战。
2023年12月22日，广州诺顶智能科技有限公司与华南理工大学合作共建芯片半导体人工智能联合实验室揭牌仪式在华南理工大学软件学院举行。双方将在产教融合、实验室共建、科技创新、人才培养方面达成了广泛共识，推动合作向更深层次发展。
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 半导体氧化物 原位负载 贵金属团簇
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2023/12/27
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
中国科学技术大学揭示半导体材料中多体效应主导的超快亮-暗激子转化
半导体材料 多体效应 超快亮-暗激子转化
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2024/3/8
中国科学技术大学物理学院、合肥微尺度物质科学国家研究中心、国际功能材料量子设计中心赵瑾教授、郑奇靖副教授基于自主知识产权的计算软件Hefei-NAMD，研究了锐钛矿TiO2中的亮-暗激子转化的动力学过程，揭示了多体效应在其中起到的重要作用。最近，该成果以“Ultrafast many-body bright-dark exciton transition in anatase TiO2”为题，发表...
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展（图）
梁伟 半导体激光器
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2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器，体积较大，可靠性差。
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...