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为顺应国家及成渝双城经济圈集成电路行业发展要求,成都工业学院于2022年特设集成电路设计与集成系统本科专业并开始招生。本专业以培养学生具备集成电路基础设计能力为目标,掌握电路基本理论、集成电路设计基本技能,掌握集成电路设计的EDA工具,熟悉电子电路、计算机、信号处理等相关系统知识,从事集成电路研究、设计、开发及应用,具有一定创新能力、适应当前社会需要的应用型工程技术人才。
为深入探讨当前芯粒技术发展面临的重大挑战与产业布局架构和产业化面临的前沿问题等,2024年1月13日,芯粒技术研讨会于学院浦口办学点举行。中国移动研究院金鹏,清华大学王垚,南京大学林军,通富微电子股份有限公司高国华,中国电子科技集团公司第五十八研究所林晓会等出席会议,研讨会由学院院长蔡志匡主持。
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
2023年12月27日下午,南京邮电大学第七届海内外青年学者论坛集成电路科学与工程学院(产教融合学院)分论坛在仙林校区3号学科楼322会议室成功举办。分论坛采取“线上+线下”的方式,共有来自汉堡大学、阿卜杜拉国王科技大学、澳门大学、清华大学、北京大学、南京大学、复旦大学、东南大学、北京邮电大学等海内外知名高校的近二十余位优秀青年学者参加,学院领导、高层次人才代表、团队及系部负责人、青年教师代表、学...
本发明公开了一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法,采用SET幅值‑宽度、幅值概率密度及分布、含有触发阈值参数的SET截面三种方法,建立了完整的模拟电路SET表征方法,采用该方法不仅能够描述模拟电路SET的全部特性,而且解决了模拟电路SET阈值不统一的特殊问题。具有SET特性完整、通用性强、可统计量化的特点。
一种基于脉冲激光的模拟电路单粒子瞬态等效方法,基于模拟电路单粒子损伤机制,即重离子和激光入射半导体材料的能量沉积、电荷产生的物理过程,充分考虑电荷收集深度、双光子吸收、参杂浓度等因素的影响,建立了基于有效电荷收集深度内产生等量电荷的等效依据。具有关键信息覆盖全面、精度高、易执行的特点。
一种用于多路分段离子阱的射频直流耦合驱动电路,包括射频输入(1)、直流耦合输入(2)、电感L1和电容C1组成的滤波部分(3)和合成波形耦合输出(4);其工作原理为:射频高压信号经过射频输入(1)传输高频交流信号,直流电压信号通过直流耦合输入(2)传输信号,再经由合成波形耦合输出(4)叠加这两种不同波形得到合成电压信号;其中电感L1和电容C1组成的滤波部分(3)组成滤波电路阻止射频输入(1)的高压射...
一种实现构件间相对运动下的电路连通装置,其特征在于:所述的实现 构件间相对运动下的电路连通装置包括轴承(1),能导电的润滑介质(2), 连接导线的端子一(3),连接导线的端子二(4);连接导线的端子一(3) 与轴承(1)的内圈固定或可拆卸连接,连接导线的端子二(4)与轴承(1) 的外圈固定或可拆卸连接,能导电的润滑介质(2)填充在轴承(1)的内 外圈之间或轴瓦的内表面。本发明的优点:能实现两个相对...
中国科学院合肥物质科学研究院专利:一种EAST真空报警灯控制电路
为深化校企合作,促进产教融合,助力集成电路行业人才培养,2023年12月12日-14日,学院联合爱德万测试(中国)管理有限公司在浦口办学点成功举办Advantest江苏地区首场ATE测试培训活动,吸引了南京邮电大学、东南大学、南京信息工程大学等高校近30余名学员参加本次培训。本次活动依托学院 “工业和信息化集成电路封测领域产业人才基地”。
2023年12月3日至6日,中国国际大学生创新大赛(2023)全国总决赛在天津大学举行,由我院蔡志匡教授指导的“华芯智测—国产化测试EDA领跑者”项目获高教主赛道全国金奖。这是我院在该项重大赛事中首次摘金,实现了零的突破。
中国科学院深圳先进技术研究院专利:一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法,该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同,总剂量辐射损伤特性不同,进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态,计算晶体管总剂量辐射损伤,实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明提供一种数字集成电路辐射效应原位测试系统及测试方法,用于解决现有的辐射效应原位测试系统无法实现对数字集成电路的性能和功能进行全面测试的技术问题。测试系统包括驱动单元、采集单元及分析单元;采集单元包括SMU测试模块和至少一个数字向量测试模块,SMU测试模块用于为待测数字集成电路供电并采集待测数字集成电路的功耗电流;数字向量测试模块用于为待测数字集成电路输入电信号激励,并采集待测数字集成电路输出...

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