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本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法,该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关,总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合,准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
近日,南方科技大学深港微电子学院陈全助理教授团队在STT-MRAM器件建模仿真领域与大规模模拟电路瞬态仿真方面取得一系列新的进展。针对MRAM工作时所涉及到电-磁-热物理过程及他们之间复杂的非线性耦合关系,首次提出一种高效的三维多物理耦合仿真框架及算法,并以此研究了器件尺寸变化对于器件性能的影响,相关成果发表于国际著名EDA期刊IEEE Transactions on Computer-Aided...
南京航空航天大学电子线路课件第三章 基于SPICE的集成电路仿真
针对电路板互连结构的信号完整性问题,为了提高仿真效率,采用了时域宏模型与电路仿真相结合的混合方法.该方法在全波电磁场(FDTD)仿真的基础上计算了互连结构的端口散射参数(S参数),在将全波仿真结果嵌入电路仿真环境时,以矢量匹配法(VFM)结合有理函数逼近构造网络函数的宏模型,进而导出模型的等效电路.由于VFM很好地解决了随着逼近阶数的增加而出现的矩阵病态问题,同时利用同一组极点及迭代过程完成所...
由同济大学与美国明导公司(Mentor Graphics)共建的“系统芯片(SoC)硬件仿真及验证联合实验室”,2006年5月23日上午在微电子中心成立。这是继北京大学、中科院之后国内第三家同类大规模集成电路硬件仿真验证的合作机构,为同济大学集成电路的研发设计与专业人才培养提供了先进的验证工具和实验平台,也提升了上海在集成电路设计领域的装备条件。上海市决策咨询委员会主任江上舟、杨浦区委副书记袁岳滨...

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