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本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
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2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院微电子研究所专利：提取芯片版图的版图图形特征的方法及CMP仿真方法
建筑物的高分辨率SAR图像仿真方法
SAR图像 图像仿真 几何特征 射线追踪
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2019/4/18
提出一种基于建筑物几何特征的高分辨率（VHR）SAR图像仿真方法。该方法首先构建成像场景模型，以改进的光学着色模型近似散射模型；然后在场景间进行射线追踪，得到目标的散射强度信息和位置信息；为使仿真图像更加真实，引入后处理过程；最后经二维成像，得到逼真的建筑物SAR仿真图像。分析和仿真结果表明，该方法准确高效地仿真建筑物在SAR图像中的几何特征和辐射特征，可为理解和解译SAR建筑物图像提供有效的数据...
一种沙漠场景地杂波雷达散射截面的仿真方法
沙漠场景 DEM 三角形平面模型 雷达散射截面
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2013/5/14
利用三角形小平面模型、修正的几何光学模型与γ-f角度截断后向散射系数模型和沙漠场景的数字高程模型数据,对沙漠场景下地杂波雷达散射截面进行了仿真。散射特性模型结合场景几何模型计算得到的场景RCS矩阵图表明,仿真结果与沙漠场景特殊的地形特性和周期性特征基本符合,验证了该方法的有效性。