搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 中国科学院微电子研究所”相关记录434条 . 查询时间(0.622 秒)
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所 专利 FinFet器件 源漏外延
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 晶体管 半导体器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 隔离区 半导体器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
中国科学院微电子研究所 专利 结终端延伸 终端版图结构 终端结构
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 逆导 IGBT器件结构
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所专利：采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 金属硅化物 功率半导体器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所专利：钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法
中国科学院微电子研究所 专利 钝化 半导体 接触表面 功率半导体器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：钝化半导体接触表面的功率半导体器件结构及制备方法