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复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院将围绕国家科学中长期发展规划中关于量子调控和固态量子计算的战略目标，为未来的信息科学技术寻找新的突破点，推动新量子物态、新信息载体、新调控方法和传播机制的创新。
中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展（图）
电子器件 磁场 拓扑
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2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而，经过二十年的科学探索，人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如，自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释，面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此，中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
中国科学技术大学在高频声表面波器件领域取得重要突破（图）
高频声 表面波器件 叉指换能器
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2024/3/4
自1965年叉指换能器（Interdigital Transducer, IDT）和声表面波（Surface Acoustic Wave, SAW）技术被发明以来，声表面波（SAW）谐振器就被广泛应用于2 GHz以下的中、低频无线通信，并形成了每年超过百亿美元的滤波器和传感器产业。随着无线通信发展进入5G和6G，标准所定义的新频段都在3 GHz以上，带宽都在500 MHz以上，这就使得传统的SAW...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 发光二极管 光电转换器件 耦合方法
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2024/1/26
本发明涉及一种发光二极管与光电转换器件的耦合方法，其特征在于：所述发光二极管与光电转换器件之间通过两端均为磨锥球面的光纤进行耦合，即双头磨锥球面光纤耦合。本发明的耦合方式对含有发光二极管与光纤耦合的各种检测器、传感器和光学通信设备，尤其是荧光检测器和荧光传感器具有应用价值。该耦合方法简单、实用、方便、成本低廉。
本发明涉及一种基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法，该方法通过对在轨暗场测试采集到的其中任一幅图进行计算，得到该幅图的背景信号SBG和图像饱和信号Smax，然后统计该幅图中信号灰度值介于2SBG和Smax之间的热像素信号个数，对于单个热像素信号计算其最亮像素的灰度值，统计单个热像素的拖尾信号所占的像素个数，并计算单个热像素所占拖尾像素的灰度值之和，再计算单个热像素信号转移到输出端的转移...
本发明公开了一种基于三维叠层封装SRAM器件的在轨单粒子翻转甄别系统，该系统由三维叠层封装SRAM器件，电源模块，单粒子翻转数据分析模块组成，三维叠层封装SRAM器件与单粒子翻转数据分析模块连接，电源模块与三维叠层封装SRAM器件连接，所述三维叠层封装SRAM器件为3层‑10层，三维封装SRAM器件中各层之间需对齐，电源模块对三维叠层封装SRAM器件的各层分别供电，单粒子翻转数据分析模...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种全无机柔性热敏器件及其制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 全无机 柔性热敏器件
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2023/12/29
本发明公开了一种全无机柔性热敏器件及其制备方法，该器件由柔性衬底，沉积于衬底上的缓冲层，沉积于缓冲层上的热敏薄膜，沉积于薄膜上的分形电极及沉积于电极上的绝缘层组成，采用的溅射方法为直流溅射或射频溅射制成，该器件结构简单，质量轻薄，同时薄膜结晶度较好，粗糙度较小，对温度的灵敏度较好，重复性好，操作简单，实现薄膜的较大面积生长，且生长的薄膜均匀性较好。为柔性热敏器件的研究和开发奠定了基础。通过镀膜工艺...
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
中国科学院微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展（图）
氮化镓器件 氮化物 半导体
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2024/2/29
2023年12月11日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 商用VDMOS器件 信息识别
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2023/11/30
本发明涉及一种商用VDMOS器件工艺批次信息识别的方法，该方法是由器件参数测试、批量数据统计分析和敏感批次参数确立组成。由于不可控制误差对商用VDMOS器件工艺批次识别的影响的主要因素为：工艺制造过程中的细微波动，会导致不同批次及批次内器件电参数出现差异性。通过对两批次器件开展参数测试试验，基于数据统计分析方法，在同一坐标轴的基础上进行两个批次的分布对比，建立器件参数与工艺批次信息识别的映射关系，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种大口径紫外三倍频器件的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 紫外 三倍频器件
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2023/11/30
本发明涉及一种大口径紫外三倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对四氟硼酸胍晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定四氟硼酸胍晶体从253nm?2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该四氟硼酸胍晶体Ⅰ类或Ⅰ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该四氟硼酸胍晶体相位匹配点；然后...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 四氟硼酸胍晶体 四倍频器件
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2023/11/30
本发明涉及一种四氟硼酸胍晶体四倍频器件的制备方法，该方法首先利用Maker条纹法对晶体的倍频系数进行测量，得到2个非零的有效的倍频系数；再用最小偏向角法测定晶体从253nm‑2325nm之间11个波长下的主折射率，拟合得Sellmeier方程；依据Sellmeier方程，通过计算机程序，计算得该晶体Ⅰ或Ⅱ类相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 硅通孔结构 半导体器件
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2023/11/16
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件