搜索结果: 136-150 共查到“电子科学与技术 器件”相关记录819条 . 查询时间(0.204 秒)
Academy of Mathematics and Systems Science, CAS Colloquia & Seminars：半导体器件仿真的多尺度模型和计算方法
半导体器件 仿真 多尺度模型 计算方法
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2023/4/25
随着芯片设计和制造工艺的快速发展，晶体管尺寸不断微缩，量子力学效应越来越明显，传统基于漂移扩散方程的宏观数学模型难以刻画载流子输运的量子力学效应。而基于量子力学模型的器件仿真计算量大，计算时间长，难以满足工业的实际需求。基于宏观和微观多尺度耦合模型的计算方法受到越来越多关注，但相关研究成果还很不成熟，有效的计算方法和严格数学理论缺乏。我们将讨论一些多尺度耦合模型和计算中的数学问题，并报告初步的研究...
2084年，尽管你已经年近百岁，但抗衰老药物让你依然皮肤紧致，活力满满。而此时的脑机接口技术已经相当成熟，通过它，你用意念控制着你的股票交易账号。这也许是一段科学幻想，生命真的能和电子器件连接吗？
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
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2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣团队与中国科学技术大学董春华团队、华东师范大学程亚团队以及深圳国际量子研究院刘骏秋团队合作，在硅基绝缘体上碳化硅（SiCOI）平台的微腔孤子光频梳方面取得了重要进展。研究团队在利用异质集成技术制备高Q值SiC光子微腔的基础上，采用双光束泵浦方式首次在室温下实现了SiC光学频率梳的锁模。同时，通过SiC本征的二阶非线性特性，实现了光频梳从红外到可见波段的...
山东大学“稷下风”学术论坛-冀东：垂直结构氮化镓功率器件研究进展。
中国科学院微电子所等在超强抗辐射碳纳米管器件与电路研究中取得进展（图）
微电子 抗辐射碳纳米管器件 电路研究
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2022/11/26
新一代航天器对宇航芯片的性能和抗辐射能力提出了更高要求。碳纳米管器件的栅控效率高、驱动能力强，是后摩尔时代最具发展潜力的半导体技术之一，并具有较强的空间应用前景。
中国科学院微电子研究所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学教授张志勇、中科院国家空间科学中心副研究员陈睿合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底...
中国科学院空间中心等揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子
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2022/11/24
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能，是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院微电子所在超强抗辐射碳纳米管器件与电路方向取得重要进展（图）
抗辐射碳 纳米管器件 电路方向
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2023/8/21
微电子所抗辐照器件技术重点实验室与北京大学张志勇教授、中科院空间中心陈睿副研究员合作，研制出基于局域底栅的碳纳米管晶体管和静态随机存储器，并系统研究了碳纳米管器件与电路的综合抗辐射能力（图1）。研究显示，局域底栅碳纳米管晶体管和静态随机存储器在受到2.8×1013 MeV/g的位移损伤辐照后，仍可承受2 Mrad（Si）的电离总剂量辐照和104 MeV·cm2/mg的等效激光单粒子辐照，其综合抗辐...
中国科学院国家空间中心等科研人员合作首次揭示碳纳米管器件和电路单粒子效应机理（图）
碳纳米管器件 电路单粒子 集成电路
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2023/8/21
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求，元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表，也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道，碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力，可满足深空探测任务对芯片...
中国科学院深圳先进技术研究院一种具有三维景深感知的人工遥感触觉器件（图）
人工遥感 触觉器件 介电异质结构
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2023/8/8
2022年11月3日，中科院深圳先进院集成技术研究所神经工程中心与德国马克思普朗克聚合物研究所有机电子研究团队合作，以深圳先进院为第一单位在Science Advances发表了题为“An artificial remote tactile device with 3D depth-of-field sensation”的文章。朱珊珊助理研究员为第一作者，李光林研究员、Prof. Paschali...
面向硅基电子产业的二维半导体器件和集成 浙江大学微纳电子学院徐明生教授在《自然·材料》期刊发表综述（图）
硅基电子产业 二维半导体器件 浙江大学微纳电子学院 徐明生 自然材料
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2022/11/27
近年来，随着芯片制程逐渐逼近物理极限，面对硅材料的固有限制，芯片先进工艺尺寸微缩如何继续？芯片功能如何扩展？而得益于二维（2D）材料的原子级厚度和表面无悬挂键的结构特性、优异的光电及量子效应等，2D材料被广泛认为在后摩尔技术中扮演关键角色。那么，如何充分利用2D半导体来弥补硅基技术的不足？鉴于此，浙江大学徐明生教授、杨德仁院士和复旦大学周鹏教授团队为2D半导体融合于硅基技术提出了单片「硅上」（硅作...
山东大学“稷下风”学术论坛-马俊：新型多沟道氮化镓电力电子器件技术。