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搜索结果: 1-15 共查到知识库 电子科学与技术 器件相关记录133条 . 查询时间(0.198 秒)
32*32锑化铟CID红外焦平面器件与读出电路。
64×64MOS桥式电阻阵列动态红外景象产生器件
窄禁带半导体红外量子器件和物理。
半导体量子器件的制备和自旋态研究。
太赫兹半导体器件THz光谱技术和光电特性表征。
先进半导体光伏材料、器件与表征技术研究。
22-14纳米集成电路器件工艺先导技术。
微纳电子器件及集成研究群体。
SiC电力电子器件关键技术及应用     SiC  电力  电子器件       < 2023/8/14
SiC电力电子器件关键技术及应用。
“十四五”和未来我国深空和太阳系边界探测等航天任务实施对宇航用集成电路在恶劣复杂的深空辐射环境下的抗辐射能力提出了严苛的要求,元器件的抗辐射能力成为制约深空探测任务设计的关键因素之一。碳基信息电子器件具有高迁移率、超薄、高热导率等优异的物理性能是下一代先进半导体器件典型代表,也是我国自主可控发展集成电路技术的重要选择。国内外已有研究报道,碳基器件天然具有较强的抗总剂量能力,可满足深空探测任务对芯片...
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前,发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开,探讨制约发光效率的关键因素和物理机制,深入研究器件结构和关键工艺技术,实现高效高可靠性大功率LED,解决半导体照明领域核心器件问题。
基于锑化物和高速硅基光互连,开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片,实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片;发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片,着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向,开展高速硅光互连通信芯片研究。
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质,开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术,研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性;研究低维材料的微纳光电器件;研究基于低维半导体的柔性电子器件,发展全柔性智能感知器件与系统集成。

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