搜索结果: 1-5 共查到“电子科学与技术 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心”相关记录5条 . 查询时间(0.163 秒)
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开，探讨制约发光效率的关键因素和物理机制，深入研究器件结构和关键工艺技术，实现高效高可靠性大功率LED，解决半导体照明领域核心器件问题。
130lm/W半导体照明集成技术研究是“十一五”平台建设的技术任务目标，也是半导体照明进入通用照明道路中的重要阶段目标。中心在围绕130lm/W半导体照明集成技术研究的同时，不断提升工艺技术水平，提高技术创新能力，建立完善的工艺技术平台，力争在新设计、新技术、新工艺开发、产业化关键技术攻关等方面具有国际一流水平。
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
<
2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 半导体照明
<
2022/9/27
中国科学院于2004年开始筹建“中国科学院半导体照明研发中心”，经过两年的基本建设，形成了一支优秀的研发队伍，具有国际先进水平的研发平台，在半导体照明核心技术方面取得了重大突破，形成了一系列成果和知识产权，2006年4月中国科学院正式批准，依托中国科学院半导体研究所成立“中国科学院半导体照明研发中心”（科发人教字〔2006〕99号）非法人研究单元，开发引领未来的半导体照明技术，提升创新能力，支撑产...