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南方科技大学深港微电子学院科研方向（图）
南方科技大学深港微电子学院 科研方向 集成电路设计方法学 人工智能芯片 集成电路制造与工艺 微纳系统与集成
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2022/10/17
南方科技大学深港微电子学院科研方向：集成电路设计方法学；人工智能芯片；集成电路制造与工艺；微纳系统与集成。
半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前，发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开，探讨制约发光效率的关键因素和物理机制，深入研究器件结构和关键工艺技术，实现高效高可靠性大功率LED，解决半导体照明领域核心器件问题。
130lm/W半导体照明集成技术研究是“十一五”平台建设的技术任务目标，也是半导体照明进入通用照明道路中的重要阶段目标。中心在围绕130lm/W半导体照明集成技术研究的同时，不断提升工艺技术水平，提高技术创新能力，建立完善的工艺技术平台，力争在新设计、新技术、新工艺开发、产业化关键技术攻关等方面具有国际一流水平。
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向新功能半导体器件与芯片
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 新功能半导体器件与芯片 半导体器件 芯片
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2022/10/4
基于锑化物和高速硅基光互连，开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片，实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片；发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片，着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向，开展高速硅光互连通信芯片研究。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
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2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
哈尔滨工业大学电子与信息工程学院科研方向
哈尔滨工业大学电子与信息工程学院 科研方向 通信工程系 电子工程系 信息工程系 微波工程系 测控工程系
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2022/8/19
哈尔滨工业大学电子与信息工程学院科研方向。