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搜索结果: 1-9 共查到电子科学与技术 氮化物相关记录9条 . 查询时间(0.054 秒)
202年4月24日,半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展,揭示了氮化物范德华外延的物理本质,提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则;同时,提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。相关工作以“二维材料辅助的氮化物外延生长准则(Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth)”,...
中国科学院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作,在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展,验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性,提出了氮化物位错控制新思路,拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”(Continuous Single-Crystall...
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表,具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能,在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景。与GaAs、InP等其他化合物半导体不同,纤锌矿III族氮化物如GaN、AlN、AlGaN材料由于其结构具有非中心对称特点,沿c轴方向产生强烈的自发极化,对应于金属极性(III-polar)和氮极性...
氮化物半导体材料是半导体照明、全彩显示、电力电子等器件的核心基础材料,在其已经实现大规模产业化应用的今天,氮化物材料生长界面研究仍具有重要的科学意义,日久弥新。近期,中国科学院半导体研究所照明研发中心与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、美国北卡大学、北京大学量子材料科学中心科研团队合作,在氮化物材料生长界面生长过程研究上取得新进展。为解决上述学术争议提供了直接证据,澄清了氮化物生长...
2014年12月7日-8日,香山科学会议第516次学术讨论会在苏州召开,这是香山科学会议在北京外召开的第5次会议。本次会议主题为“氮化物半导体电子器件”。会议由中国科学院院士、西安电子科技大学副校长、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院院长郝跃教授担任执行主席,北京大学沈波教授,香港科技大学陈敬教授以及中科院苏州纳米所杨辉研究员担任会议共同执行主席。来自国家自然科学基金委员会、中国科学院、西安电...
2012年5月30日,科技部高技术研究发展中心组织专家,对中国科学院半导体研究所承担的国家863计划新材料领域创新团队项目课题“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”进行了验收。科技部高技术研究发展中心副主任王琦安等领导和专家参加此次验收会;验收专家组成员包括清华大学潘峰教授、北京国科世纪激光有限公司樊仲维研究员,中科院微电子所刘明研究员、北京大学沈波教授、中山大学王钢教授;半导体所副所长陈弘达等有...
Ⅲ族氮化物材料     氮化物  半导体材料       < 2009/5/21
Ⅲ族氮化物材料。   
Ⅲ族氮化物材料制备     外延  晶格匹配  GaNg材料       < 2009/5/20
Ⅲ族氮化物材料制备。
本项目为GSMBE技术,是MBE技术的一种,根据所使用的气体不同可 分为使用氨气的NH_3-MBE和使用氮气等离子体的RF-MBE。前者依靠热分解把氨分子分解成氮原子,而后者则利用射频电磁场将氮分子裂解成氮原子。本课题使用上述两种技术,在蓝宝石衬底上生长出了GaN薄膜材料以及AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料,并用这些材料研制出了异质结场效应晶体管(HFET)器件。研究成果达到国际先进水...

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