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中国科学院微电子研究所在28nm RRAM存内计算电路研究中获进展（图）
28nm RRAM存内 计算电路
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2023/8/31
物联网与人工智能技术的发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算，将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素和阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬件开销，非易失存内计算面临着计算性能与能效方面的限制。中国科学院院士、微电子研究所研究员刘明团队采用跨层...
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所 专利 太赫兹 焦平面阵列 检测成像装置
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置
中国科学院微电子研究所专利：基于红外气体传感器的水果成熟度检测系统
中国科学院微电子研究所 专利 红外 气体传感器 水果成熟度 检测系统
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：基于红外气体传感器的水果成熟度检测系统
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所 专利 FinFet器件 源漏外延
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 晶体管 半导体器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 隔离区 半导体器件
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
中国科学院微电子研究所 专利 结终端延伸 终端版图结构 终端结构
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：结终端延伸的终端版图结构及其终端结构