搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术 中国科学院微电子研究所”相关记录153条 . 查询时间(1.28 秒)
中国科学院微电子研究所在Chiplet热仿真模型及工具研究中获进展（图）
Chiplet 热仿真模型 工具研究
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2023/7/7
后摩尔时代，依靠缩小尺寸提升器件集成度的硅基CMOS技术面临物理原理和工艺技术的挑战。具有高性能、低功耗和低成本优势的Chiplet技术成为延续摩尔定律的重要选择之一。该技术利用先进封装工艺，将多个异构芯片集成为特定功能的系统芯片，从而满足人工智能等领域的应用需求。然而，由于Chiplet异构集成密度大幅增加，热耗散问题对异构系统的可靠性造成挑战。如何针对Chiplet异构集成系统的复杂性，提出新...
中国科学院微电子研究所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展（图）
硅基氮化镓 横向功率器件 动态可靠性
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2023/6/2
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，而且在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展（图）
半导体器件 载流子 宏观电学
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2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
中国科学院微电子研究所在自旋神经形态器件方面取得新进展（图）
新型存储器 神经元器件 集成技术
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2023/4/12
生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性，解决冯·诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而，面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段，基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容；基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操作电路，且耐久性受限，难以满足高频神经元器件的信息整合处理需求。自旋电子器件具有高能效、高耐久性及更丰富...
中国科学院微电子研究所在垂直沟道纳米晶体管研发方面获进展（图）
垂直沟道 纳米晶体管 集成电路
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2022/8/31
垂直沟道纳米器件因其对栅长限制小、布线灵活及便于3D一体集成等优势，在1纳米逻辑器件/10纳米 DRAM存储器及以下技术代的集成电路先进制造技术方面具有巨大应用潜力。
自旋逻辑器件由于具有非易失性、低功耗以及易于小型化等优点，尤其是基于SOT的自旋逻辑器件具有高速、高耐久性，因而更加适合存内计算领域的应用，具有较大应用潜力。然而，目前报道的SOT逻辑器件大都是以双极性电信号的形式进行逻辑操作，需要额外的辅助电路对给定电信号进行转化从而完成逻辑操作（图1a），导致该电路结构复杂，能量和面积的开销大，严重阻碍了自旋逻辑器件在低功耗和高密度集成领域的应用。
中国科学院微电子研究所在三维存算一体芯片领域取得重要进展（图）
三维 存算一体 芯片
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2023/2/15
随着芯片工艺制造的进步，工艺制程逐渐接近物理极限，深度神经网络的发展使得计算量和参数量呈指数上升，阻变存储器应用于大规模神经网络面临多个个挑战：1）由于卷积神经网络权值数量不断增加，使得阻变存储器的面积开销越来越大；2）对于多值大规模阻变存储器阵列，当参与乘累加计算的阻变单元数量很大时，由于阻变单元电导漂移而引起的误差累积更严重；3）三维阻变存储器阵列由于制造工艺难度更大，使得阻变单元与电路协同设...
2022年7月27日12时12分，中国科学院首发火箭“力箭一号”在酒泉卫星发射中心成功发射，将空间新技术试验卫星、电磁组装试验双星等六颗卫星成功送入预定轨道，发射任务圆满成功。中国科学院微电子研究所设备中心蔡建团队研制的“激光微推进系统”随电磁组装试验双星一同发射入轨；一室韩郑生团队研制的“抗辐射KW65609ES型静态随机存储器（SRAM存储器）”搭载于“空间元器件辐射效应在轨试验平台”随空间新...
近日，中国科学院微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质，成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT，并通过远程等离子体预处理（RPP）技术，在EC - ET > 0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1，实现了低界面态密度，减小了器件的关态泄漏电流，保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比，MIS...
中国科学院微电子研究所低功耗集成电路设计研究获进展（图）
中国科学院微电子研究所 低功耗 集成电路
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2021/6/28
近日，中国科学院微电子研究所感知中心低功耗智能技术与系统团队在低功耗集成电路设计领域取得新进展，设计出兼容近/亚阈值工作区的基础电路单元，可广泛应用于低功耗智能计算芯片。功耗已成为制约集成电路发展的瓶颈。近/亚阈值技术通过将芯片工作电压降低到晶体管的阈值电压附近或阈值电压以下，可大幅降低数字系统的功耗。近/亚阈值基础数字电路单元是低功耗智能计算芯片的基石，也是本研究重点解决的难题。
中国科学院微电子研究所垂直纳米环栅器件研究获进展（图）
中国科学院微电子研究所 纳米环栅器件 集成电路
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2021/5/31
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方式进一步增加集成密度，因此，成为2纳米及以下CMOS和高密度DRAM等逻辑及存储芯片制造技术方面具有潜力...
中国科学院微电子研究所EDA中心完成的“集成电路设计自动化（EDA）平台的网络化服务系统”获评2020年度中科院信息化应用优秀案例（图）
集成电路设计自动化 EDA 平台 网络化服务系统 2020年度 信息化应用 优秀案例
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2021/4/27
近日，微电子所EDA中心研发的“集成电路设计自动化（EDA）平台的网络化服务系统” 被中国科学院评为2020年度十大中国科学院信息化优秀案例，并入选《中国科学院信息化年度报告（2020）》。
2021年3月20日，在由国内顶级创新组织平台--中国集成电路创新联盟（大联盟）组织召开的“2021集成电路产业链协同创新发展交流会”上，国家02科技重大专项技术总师、原中科院微电子所所长叶甜春获颁第四届“IC创新奖”之“产业创新突出贡献奖”。该奖项重点表彰在集成电路技术创新、成果产业化、产业链合作及创新发展管理服务等方面做出突出贡献的个人。本次叶甜春总师获奖原因是他带领02专项总体组为专项实施及...
2021年3月17日，SEMICON China 2021在上海新国际博览中心盛大开幕。微电子所产业化促进中心精心组织了一批参股企业参展，领域涵盖了芯片设计、封测、半导体设备、知识产权服务、创新孵化中心、集成电路设计服务等方面。
中国科学院微电子研究所在纳米森林的微器件应用研究方面取得新进展（图）
纳米森林 微器件应用
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2021/3/19
近日，微电子所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统（MEMS）传感器应用研究上取得重要进展。湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重要意义。随着MEMS技术的发展，基于MEMS工艺的电容式湿度传感器因其在宽相对湿度范围内具有较好的灵敏度和较好的抗干扰能力而受到广泛关注。传统的电容式湿度传感器通常由梳齿电极和湿度敏感材料两部分组成，该结构中存在寄生电容影响湿度传感器的灵敏度；传...