搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术 半导体”相关记录434条 . 查询时间(0.148 秒)
中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展(图)
电子器件 磁场 拓扑
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2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而,经过二十年的科学探索,人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如,自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释,面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此,中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
苏州纳米所梁伟团队合作在1μm外腔超窄线宽半导体激光研究领域取得进展(图)
梁伟 半导体激光 原子量子
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2024/4/10
1μm波长的窄线宽激光在原子量子、引力探测和光钟等领域都有重要应用。梁伟团队和南京大学、华东师范大学合作,取得1μm窄线宽外腔半导体激光研究进展。本研究中,通过使用中空的高品质因子FP光腔和自注入锁定技术,实现了紧凑的1μm超窄线宽半导体激光,其洛伦兹线宽约41Hz,和稳频光梳拍频线宽为510.3Hz,1s频率稳定性达到10^-11,同时可通过PZT实现快速的数百MHz的频率调制。
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
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2024/3/15
二维共轭聚合物(2DCPs)是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构,预示着优异的光电特性,在有机电子学领域颇具应用前景。然而,目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差,以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重,导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学院化学所在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得进展(图)
集成聚合物 半导体 分子设计
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2024/2/25
随着材料科学和器件技术的发展,可拉伸元件和柔性显示器因在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而备受关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料,发挥着重要作用,并逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是,具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发,对先进和新兴制造技术颇为重要。而通过多级制造实现多功能应用是有机半导体领域的重要挑...
中国科学院化学研究所刘云圻课题组在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得新进展(图)
刘云圻 集成 聚合物半导体 分子
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2024/3/17
随着材料科学和器件技术的快速发展,可拉伸元件和柔性显示器因其在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而引起了广泛的关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料在其中起着至关重要的作用,逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是,具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发,对先进和新兴制造技术至关重要。然而,通过多级制造实现多功能应用...
中国科学院半导体所在2D/3D双模视觉处理芯片研制取得新进展(图)
芯片 工业机器人 电路
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2024/2/28
二维(2D)和三维(3D)双模视觉信息在自动驾驶、工业机器人、人机交互等前沿领域具有广泛的应用前景。但是2D和3D两种模式视觉信息在处理方法上存在较大的差异,使得边缘端计算型处理器难以兼顾两种模式的处理需求;同时以深度学习为代表的人工智能算法的计算密集和高数据复用率等特点进一步增加了处理器电路的设计复杂度,导致边缘端实现双模视觉信息智能处理的芯片设计面临大的挑战。
中国科学技术大学揭示半导体材料中多体效应主导的超快亮-暗激子转化
半导体材料 多体效应 超快亮-暗激子转化
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2024/3/8
苏州纳米所梁伟团队在可连续调谐的窄线宽外腔半导体激光器领域取得进展(图)
梁伟 半导体激光器
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2024/1/17
可宽带快速连续扫频的小尺寸窄线宽外腔半导体激光器是光纤传感、调频连续波激光雷达、量子技术等领域的核心器件。传统连续扫频光源如Littrow结构外腔半导体激光器,体积较大,可靠性差。
西北工业大学微电子学院院长马炳和一行访问陕西省半导体行业协会(图)
马炳和 陕西省 半导体行协 半导体
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2024/4/3
中国科学院半导体所设计出超高自旋轨道矩效率的反演对称破缺超晶格(图)
中国科学院 半导体所 自旋轨道 矩效率 超晶格 Nano Letters
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2023/11/23
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展(图)
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
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2023/11/29
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展(图)
激子 量子器件 动力学模型
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2024/2/28
2023年9月22日,新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作,利用施主-受主对(DAP)模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子(IX)发射现象,并建立了DAP IX的动力学模型,很好地解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日,相关研究成果以“MoSe2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主...