搜索结果: 16-30 共查到“知识要闻 电子科学与技术 半导体”相关记录435条 . 查询时间(0.239 秒)
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展（图）
激子 量子器件 动力学模型
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2024/2/28
2023年9月22日，新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，并建立了DAP IX的动力学模型，很好地解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以“MoSe2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主...
晶格对称性是电介质材料最重要的内秉性质之一，然而晶格对称性在电介质材料和异质结器件的广泛应用中却常常被忽略。近日，南京大学现代工程与应用科学学院袁洪涛教授团队与合作者们，寻找到一种各向异性的电介质材料并提出将晶格对称性匹配作为一种调控电介质/半导体异质结界面对称性破缺和界面物理性质的方法。通过堆叠具有不同旋转对称性的电介质和半导体材料，使得界面处的对称性与各材料系统的本征晶格对称性不同，在原本各向...
中国科学院化学研究所可拉伸聚合物半导体研究获进展（图）
可拉伸 聚合物 半导体
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2023/9/6
聚合物半导体在可穿戴设备、健康监测、疾病诊断等新型领域中颇具应用前景。基于聚合物半导体的柔性电子学是蕴含重大科学创新机遇的新领域。通常优异的电荷输运性能要求聚合物材料具有高结晶性，而强结晶性会导致材料拉伸力学性能低。因此，设计合成高迁移率可拉伸的聚合物半导体面临挑战。
中国科学院半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点 激光器 集成
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2024/2/28
分布反馈（DFB）激光器具有结构紧凑、动态单模等特性，是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是，2023年8月30日以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势，亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑，对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高的要求。
非苯型的共轭分子骨架与相应的苯类化合物相比具有不同的电子和结构特征。含有非苯型的五元环或七元环的大共轭分子可能作为含有“缺陷”的新型碳的同素异形体而展现特异的光、电、磁等性质。因此，含五元环或七元环的共轭分子受到了越来越多的关注并被合成和研究。然而，目前的研究主要存在稠合模式单一、合成复杂、结构不稳定、分子不平面、缺乏功能研究等问题。
中国科学院半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展（图）
手性分子 电子学器件 非磁性金属
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2024/2/28
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点，相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”（Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS）。CISS在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值和丰富的物理内涵，但是手性与自旋极化相互转换的微观机理一直是激烈争论的科学问题。
中国科学院大连化学物理研究所实现半导体光催化硼化反应（图）
半导体 光催化 硼化反应
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2023/8/24
近日，中国科学院大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组研究员戴文团队，在多相光催化硼化方面取得新进展。该团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂，利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用，通过选择性硼化反应，实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳（杂）环的高值转化，合成了硼氢化和硼取代产物。
天津市集成电路行业协会组织企业参加第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会
天津市 集成电路 半导体 展示会
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2023/11/28
2023年8月9日，第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会(CSEAC) 在无锡太湖国际博览中心拉开帷幕！天津市集成电路行业协会组织众望赛米控（天津）科技有限公司、天津太航金属材料有限公司等多家企业参展。
中国科学院半导体所观测到各向异性平面能斯特效应（图）
半导体所 永磁电机 自旋电子学 薄膜器件
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2023/8/1
磁性材料是构成现代工业的重要基础性材料，在永磁电机、磁制冷、磁传感、信息存储、热电器件等领域扮演着重要角色。在自旋电子学前沿领域，利用磁性材料中的磁矩引入额外对称性破缺效应是研究热点。
2023年压电半导体理论与应用前沿论坛在洪湖顺利召开（图）
中国力学学会 半导体 湖北省力学学会
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2023/11/9
由湖北省力学学会主办，华中科技大学航空航天学院承办，武汉力学学会、工程结构分析与安全评定湖北省重点实验室协办的“2023年压电半导体理论与应用前沿论坛”于2023年7月16-18日在湖北洪湖召开。石家庄铁道大学刘金喜教授，郑州大学赵明皞教授、卢春生教授，北京科技大学魏培君教授，南京航空航天大学钱征华教授，浙江大学张春利教授等应邀出席，共有来自湖北、河北、河南、北京、江苏、浙江、湖南、广东、四川等多...
2023年7月14日，以“洞见·破局·新发展——以产教融合促进经济社会和人才高质量发展”为主题的2023（首届）产教融合发展大会在河北雄安举办。此次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，来自全国各地高校、职业院校、行业企业、社会组织等产教融合各参与主体的代表700余人参会。南京邮电大学副校长、学院院长郭宇锋教授受邀参加并发言。
南京大学电子学院在二维半导体的氧化动力学研究上取得进展（图）
二维半导体 氧化动力学 南京大学电子学院
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2024/5/6
二维半导体在后硅电子学、扭角物理、能谷电子学等领域具有广阔的应用前景。然而，原子级厚度这一特征也使得二维半导体的环境稳定性普遍较低，人们对其氧化动力学仍缺乏精准的定量理解。主要的研究挑战在于：1）缺乏高效率的表征技术； 2）影响材料老化的参数较多，系统研究的工作量巨大。迄今，大多数研究依赖于微区表征技术，如拉曼光谱、原子力显微镜或透射电子显微镜，通常而言这些技术的检测空间有限、表征效率低下、或者难...
中国电子科技集团公司43所三代半导体封装工艺实现航空航天领域国内首次应用
中国电科43所 半导体 封装工艺 航空航天
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2023/11/12
近日，中国电科43所“活性金属钎焊（AMB）基板一体化封装”先进工艺实现了电路、布线、封装等多项技术升级，相关技术指标达到国际先进水平。该工艺应用于三代半导体领域，43所在此技术基础上进一步开发的多款AMB基板一体化封装产品，实现航空航天领域的国内首次应用。
长飞光纤光缆股份有限公司拟投资60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目
长飞光纤 第三代 半导体 功率器件
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2023/11/12
2023年6月26日，长飞光纤光缆股份有限公司（以下简称“长飞光纤”）发布公告，其子公司安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进半导体”）拟投资人民币60亿元建设第三代半导体功率器件生产项目。其中，长飞光纤拟出资人民币28,100.00万元。
中国科学院半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点激光器 硅基光电子 集成芯片
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2023/7/7
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与Ga...