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中国科学院半导体研究所的朱礼军研究员团队提出了“反演对称破缺的自旋轨道矩超晶格“的概念,并预言此类超晶格的自旋轨道矩效率应随超晶格周期数n线性增长直至无穷大。然而,实验发现[Pt/Co/MgO]n超晶格中存在自旋霍尔角、磁化强度、电阻率、平整度随重复周期数增大而衰退的现象,最高实现了56%的自旋轨道矩效率 [Physical Review Applied 18, 064052 (2022)]。
近期,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员罗军课题组与中科院半导体研究所研究员王开友课题组合作,研制出全线性的电流诱导多态自旋轨道耦合(SOT)磁性存储器件,并实现了低能耗、可编辑的突触功能,为基于SOT-MRAM的低功耗存算一体逻辑和神经形态计算提供了一种新方法。
自旋轨道矩(spin-orbit torque, 以下简称SOT)是近年来发展起来的新一代电流驱动磁化翻转技术,具有信息写入速度快、功耗低、耐久度高、稳定性好等独特优势,是未来非易失性存储器的理想选择方案之一。通常,非磁/铁磁双层膜结构中由SOT所产生的有效磁场指向面内方向,因此对于垂直磁化的铁磁层而言,需要引入外加磁场等额外的对称性破缺才能实现定向的磁化翻转。如何通过原理创新,突破零磁场下SOT...
在国家自然科学基金(项目编号:61888102)等资助下,中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室骆军委研究组与科罗拉多大学Alex Zunger教授、南方科技大学刘奇航教授、深圳大学张秀文教授合作在隐藏自旋轨道耦合研究中取得重要进展。研究成果以“Uncovering and tailoring hidden Rashba spin–orbit splitting in centrosym...
北京大学信息科学技术学院、固态量子器件北京市重点实验室徐洪起“千人计划”教授课题组与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员课题组合作,在基于半导体InAs纳米线多量子点量子计算器件的研究中取得了一系列重要进展。近日,利用砷化铟(InAs)纳米线,采取先进微纳加工工艺技术,制作具有高调控性的耦合双量子点量子器件,构建了稳定的双量子点器件二电子泡利自旋阻塞态,并通过对器件中二电子...
拓扑绝缘体代表一种全新的量子态,具有奇特的电子结构和自旋结构。它的体态是有能隙的半导体或者绝缘体,但表面态(边缘态)则为无能隙的金属态。已有的理论和实验已经确定,拓扑绝缘体表面态电子的自旋高度极化,而且电子自旋和晶体动量锁定在一起(spin-momentum locking),形成独特的螺旋状自旋结构(helical spin texture)。拓扑绝缘体独特的电子结构和自旋结构,对决定拓扑绝缘体...

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