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中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
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2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
南方科技大学深港微电子学院李毅达课题组在Nature Communications上发表了CMOS后道集成和氧化物半导体领域的重要进展（图）
李毅达 Nature Communications CMOS 后道集成 氧化物半导体
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2023/11/29
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果以“CMOS Backend-of-Line Compatible Memory Array and Logic Circuitries Enabled by High Performance Atomic Layer Deposited ZnO Thin-film Transistor”...
基于宽禁带氧化物半导体薄膜材料的MEMS传感器研发（图）
宽禁带氧化物半导体薄膜材料 MEMS传感器
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2022/5/30
2021年12月第一届全国博士后创新创业大赛在广东省佛山市举办，中山大学博士后青年英才积极组队参加，展现了中山大学博士后队伍建设的蓬勃气象。本届大赛以“博采科技精华 创新引领未来”为主题，共设创新赛、创业赛、海外（境外）赛和揭榜领题赛等四个组别，约1400个项目以路演和答辩为主要展示形式，线下现场赛和线上云参赛相结合，经过3天的激烈角逐，我校代表团共获得1个银奖、3个铜奖、8个优胜奖的好成绩。
金属氧化物半导体基等离激元学研究取得突破性进展（图）
金属氧化物 半导体 基等离激元学
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2020/12/18
最近，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心罗毅教授、张群教授、江俊教授研究团队在基于金属氧化物半导体材料的等离激元学研究方面取得突破性进展，采用新发展的电子-质子协同掺氢策略，实现了类金属的超高自由载流子浓度，从而获得强且可调的等离激元效应。研究成果以“Hydrogen-Doping-Induced Metal-Like Ultrahigh Free-Carrier Concentrat...
近日，复旦大学化学系邓勇辉教授受美国化学会权威综述性学术期刊《化学研究述评》（Accounts of Chemical Research）杂志主编Cynthia J. Burrows教授邀请撰写综述文章《富含sp2杂化碳的嵌段共聚物导向合成具有优异气敏特性的介孔金属氧化物》（“sp2-Hybridized Carbon-Containing Block Copolymer Templated Sy...
近日，山东大学微电子学院纳电子中心、英国曼彻斯特大学、中科院半导体所三方合作在高速非晶氧化物半导体薄膜晶体管方面取得了进展，使非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜晶体管的截止频率超过了1GHz，相当于每秒可以工作10亿次。这是目前非晶氧化物半导体薄膜晶体管的最快纪录，达到了国际领先水平。相关成果已在线发表在IEEE Transactions on Electron Device（Vol. 65 (...
0.5 μm栅长HfO2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅电流 射频特性
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2017/8/22
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0。5 μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20 nm,挖槽深度为15 nm,栅介质采用高介电常数的HfO2,器件栅长为0。5 μ...
针对传统带隙基准电源电压高、功耗高和面积大的问题,提出了一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体(MOS)基准电压源。该基准源通过电压钳制使MOS管工作在深亚阈值区,利用亚阈值区MOS管的阈值电压差补偿热电势的温度特性,同时采用负反馈提高了电压源的线性度与电源抑制比。整个电压源电路采用SMIC 0.18 μm互补金属氧化物半导体工艺设计,仿真结果表明:基准电压源的电源电压范围可达0.5～3.3 V,...
基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管
薄膜晶体管 氧化锌 氧化铟 氧化钛
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2014/3/28
在室温下制备了基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体的薄膜晶体管,氧化物沟道层中In、Zn、Ti的摩尔比为49 ∶ 49 ∶ 2。所制备的器件场致迁移率达到9.8 cm2/V·s,开关比大于105,亚阈值摆幅0.61 V/dec。和未掺Ti器件的比较表明,掺Ti能使器件阈值正向变化,对场致迁移率也有提高作用。
日本东北大学研究生院工学研究科智能元件材料学专业教授小池淳一的研究小组开发出了用于氧化物半导体TFT驱动的液晶面板、基于Cu-Mn合金的布线工艺，并在有源矩阵型显示器国际学会“AM-FPD10”（2010年7月5～7日，在东京工业大学举行）上发表了演讲（演讲序号：4-2）。与目前液晶面板中使用的Al布线相比，Cu布线的电阻要低1/2左右，因而可缩小面板布线的RC延迟。该工艺主要面向大尺寸液晶面板“...
基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器
脉冲功率 高电压 半导体开关 Marx发生器 金属氧化物半导体场效应管
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2010/4/7
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比，用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）替代气体火花隙开关，用二极管替代电阻，由于可重复频率运行，所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同，在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节，以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外，实验对开关进行光纤隔离，而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器，这不仅有利于保...
多值互补金属氧化物半导体电路的开关级设计理论
半导体器件 逻辑电路
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2008/9/19
该项研究提出了适用于MOS器件设计的代数系统-传输函数理论。在该理论中应用开关变量与信号变量分别描述电路中开关元件(MOS管)的开关状态与电压信号，并以此为出发点建立了CMOS电路开关级的代数系统。它能全面地描述电路在开关级的工作状态，因引可用于指导多值CMOS电路开关级的设计。作为对比，在传统的布尔代数与post代数中，变量通常用于描述电路中的信号(如高低电平)，而变量之间的与、或、非等基本运算...
氧化物半导体气敏传感器在安全防范领域的应用和研究—JDQ-Ⅱ型天然气监控器
传感器 天然气 单片机
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2008/9/1
DQ-Ⅱ型天然气监控器每套系统配四路传感器，每路传感器都用双层防爆探头和三防线安装。具有开机延时电路，每个或非门电路均连接两个探头，提高了整机的可靠性，使保险系数大为增加。传感器加热采用恒流源供电，有利于保证探头工作的稳定提高了整机的稳定性，由于增设传感器加热丝指示电路，可及时发现加热丝的损坏情况，以便及时更换传感探头。该控制器性能稳定，可靠，达到了用户提出的技术要求，产品达到国内领先水平。