搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 辐照后”相关记录88条 . 查询时间(0.108 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
<
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种LDO芯片的辐照测试系统及方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 LDO芯片 辐照测试系统
<
2023/12/4
本发明提供了一种LDO芯片的辐照测试系统及方法，主要解决通过现有技术测试出的芯片与其实际情况存在较大差异，无法完整、全面的反映芯片真实的抗辐射能力的技术问题。本发明的测试系统包括电源、测试模块、辐照模块及辐射场，其中，电源模块和测试模块位于辐射场外，辐照模块位于辐射场内，可对芯片在辐照过程中的状态进行实时监测，进而获取过程数据；同时，辐照模块可放置N个待测芯片，且各待测芯片相互独立，由此可对待测芯...
中国科学院高能物理研究所专利： 一种污染物电子束辐照降解装置
中国科学院高能物理研究所 专利 污染物 电子束 辐照降解
<
2023/8/12
中国科学院高能物理研究所专利：一种污染物电子束辐照降解装置
中国科学院高能物理研究所专利：一种利用电子束辐照处理含环丙沙星废水的方法
中国科学院高能物理研究所 专利 电子束 辐照处理 含环丙沙星 废水处理
<
2023/8/9
中国科学院高能物理研究所专利：一种利用电子束辐照处理含环丙沙星废水的方法
中国科学院高能物理研究所专利：一种利用电子束辐照技术处理含氧氟沙星废水的方法
中国科学院高能物理研究所 专利 电子束 辐照技术 含氧氟沙星 废水处理
<
2023/8/9
中国科学院高能物理研究所专利：一种利用电子束辐照技术处理含氧氟沙星废水的方法
中国科学院微电子研究所专利：一种板级系统局部芯片辐照装置
中国科学院微电子研究所 专利 板级系统 局部芯片 辐照装置
<
2023/7/5
中国科学院微电子研究所专利：一种板级系统局部芯片辐照装置
近日，中国科学院上海应用物理研究所碳基材料研究团队在离子束评估核石墨辐照尺寸变化研究取得重要进展，建立了核石墨薄片样品在离子束辐照下的曲率变化和快中子辐照尺寸变化的关系。相关成果以“Estimating the dimensional change behavior of nuclear graphite with heavy-ion irradiation-induced bending”为题，...
北京大学电子学系碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇-彭练矛课题组与中国科学院苏州纳米与仿生技术研究所赵建文课题组合作，系统地对碳纳米管晶体管进行抗辐照加强设计，制备了对辐照损伤几近免疫的碳纳米管晶体管和集成电路。联合课题组针对场效应晶体管的所有易受辐照损伤的部位采用辐照加强设计，优化晶体管的结构和材料，包括选用半导体碳纳米管作为有源区、离子液体凝胶（Ion gel）作为栅...
涡旋光辐照多层介质膜温升的模拟
涡旋光 多层介质膜 热传导
<
2016/9/2
搭建了涡旋光在多层介质膜中的传输模型，分析了涡旋光垂直入射下膜系内的温升分布。结果表明，膜系内的温升分布与涡旋光入射面密切相关。当涡旋光在初始面入射时，膜系的温升区域集中在入射中心。当涡旋光在空间中传输一定距离后再入射膜系时，膜系温升区域向入射中心的两侧发散，且最大温升大于初始面入射时的温升。当传输距离足够远时，膜系最大温升随传输距离的增加而减小。另外，在一定传输距离内，膜系最大温升随拓扑荷数的增...
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
<
2016/12/29
分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT...
为了在烧蚀机制下的激光超声检测中合理加载激光能量,获得幅值较大的超声信号而不过于损伤被检材料,需要分析激光辐照材料表层的温升规律及激光烧蚀的问题。建立了激光辐照材料的理论模型,激光以热流密度的形式加载于材料表面。结合导热微分方程,将对流传热和辐射传热一同考虑,并在材料表层升温过程中有效处理了相变潜热,对材料表层受激光辐照的温度场进行了数值模拟。给出了激光烧蚀材料有限元分析的程序流程,选择45#钢坯...
室温下利用高分辨透射电子显微镜原位观察了两端固定和一端固定、另一端自由的双壁碳纳米管在电子束辐照下的结构不稳定性.实验发现,在相同辐照条件下,两端固定的双壁碳纳米管首先径向持续均匀收缩,然后局部颈缩,最后在颈缩处断裂;一端固定、另一端自由的双壁碳纳米管轴向长度持续快速缩小,而径向收缩相对缓慢.我们利用最近提出的表面纳米曲率效应和能量束诱导非热激活效应基础上新发展的碳原子“融蒸”和“扩散”机制,对上...
NTDCZSi中辐照施主的研究
中子辐照直拉硅 辐照施主 施主平台
<
2009/11/17
本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的“施主平台”现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生～20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。