搜索结果: 1-2 共查到“电子科学与技术 互补金属氧化物”相关记录2条 . 查询时间(0.081 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
<
2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
多值互补金属氧化物半导体电路的开关级设计理论
半导体器件 逻辑电路
<
2008/9/19
该项研究提出了适用于MOS器件设计的代数系统-传输函数理论。在该理论中应用开关变量与信号变量分别描述电路中开关元件(MOS管)的开关状态与电压信号，并以此为出发点建立了CMOS电路开关级的代数系统。它能全面地描述电路在开关级的工作状态，因引可用于指导多值CMOS电路开关级的设计。作为对比，在传统的布尔代数与post代数中，变量通常用于描述电路中的信号(如高低电平)，而变量之间的与、或、非等基本运算...