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磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究。
中国科学院半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点 激光器 集成
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2024/2/28
分布反馈（DFB）激光器具有结构紧凑、动态单模等特性，是高速光通信、大规模光子集成、激光雷达和微波光子学等应用的核心光源。特别是，2023年8月30日以ChatGPT为代表的人工智能领域呈现爆发态势，亟需高算力、高集成、低功耗的光计算芯片作为物理支撑，对核心光源的温度稳定性、高温工作特性、光反馈稳定性、单模质量、体积成本等提出了更高的要求。
2023年8月25日，2023年度全国半导体行业协会秘书长联席会在南宁召开。工业和信息化部电子信息司集成电路处处长郭力力，商务部安全与管制局产业竞争力处副处长、二级调研员于瀛，中国半导体行业协会常务副理事长兼秘书长张立以及来自全国26个地方行业协会和中半协6个分会的秘书长和代表参加了本次会议。会议由中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰主持。
共参杂型高居里温度稀磁半导体的电子结构设计、磁性调控和材料开发
中国科学院金属研究所专利：氢气原位弱刻蚀生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法
中国科学院金属研究所 专利 氢气原位 弱刻蚀 半导体性 单壁碳纳米管
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2023/8/29
本发明涉及高质量半导体性单壁碳纳米管的制备领域,具体为一种氢气原位弱刻蚀直接生长高质量半导体性单壁碳纳米管的方法。以二茂铁等为催化剂前驱体、硫粉为生长促进剂、有机低碳烃为碳源的条件下,通过调节优化载气氢气的流量,在一定反应温度下可原位刻蚀掉金属性和小直径单壁碳纳米管,最终获得高质量、半导体性占优的单壁碳纳米管,其中半导体性单壁碳纳米管的含量≥91wt%,直径分布在1.5-2.5nm之间,集中氧化温...
非苯型的共轭分子骨架与相应的苯类化合物相比具有不同的电子和结构特征。含有非苯型的五元环或七元环的大共轭分子可能作为含有“缺陷”的新型碳的同素异形体而展现特异的光、电、磁等性质。因此，含五元环或七元环的共轭分子受到了越来越多的关注并被合成和研究。然而，目前的研究主要存在稠合模式单一、合成复杂、结构不稳定、分子不平面、缺乏功能研究等问题。
中国科学院半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展（图）
手性分子 电子学器件 非磁性金属
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2024/2/28
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点，相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”（Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS）。CISS在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值和丰富的物理内涵，但是手性与自旋极化相互转换的微观机理一直是激烈争论的科学问题。