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中国科学院新疆理化技术研究所专利：辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 辐照后 互补金属氧化物 半导体 光子转移曲线 转换增益
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2024/1/5
本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体光子转移曲线和转换增益的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体样品、直流电源和计算机组成，通过调整积分球光源的辐照度和测试软件的积分时间，使两者的乘积为互补金属氧化物半导体的饱和输出，并计算辐照后暗场的平均灰度值和相应的灰度值的时域方差。在亮场条件下，计算辐照后亮场的平均灰度值和相应的灰度值的时...
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
中国科学院大连化学物理研究所 专利 半导体氧化物 原位负载 贵金属团簇
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2023/12/27
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种半导体氧化物原位负载贵金属团簇的制备方法
本发明涉及一种实现半导体器件1/f噪声变温测试的方法及装置，该方法首先构建半导体器件1/f噪声测试中待测样品的变温环境，将1/f噪声测试系统的室温测试盒扩展至变温室，变温室利用稳态气泡原理控温构建了81K‑500K连续可调的变温环境；其次，设计变温室中的样品架及样品夹具板，实现多种封装的半导体器件在变温环境中的安装及封装半导体器件中的温度快速传递，设计待测样品的偏置及测试数据传递通路，...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
本发明提供一种基于浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量测量方法，主要解决现有技术无法对浮栅结构半导体晶体管的辐射剂量进行精确测量的技术问题。本发明通过对待测晶体管进行充电后测量，辐照后测量的方法并基于恒流法获取待测晶体管在辐射后与辐射前阈值电压的差值，并依据此方法获得不同辐射剂量下阈值电压的差值，最终计算得到待测晶体管阈值电压的差值随辐射剂量累积的变化曲线。本发明对浮栅器件进行多次编程和擦除，从而大幅提...
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重大项目
中国科学院 半导体材料 科研项目 自然科学基金
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2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重大项目。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重点项目
中国科学院 半导体材料 科研项目 自然科学基金
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2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目国家自然科学基金重点项目。
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目创新工程重要方向项目、装备研制
中国科学院 半导体材料 科研项目 创新工程
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2023/11/28
中国科学院半导体材料科学重点实验室科研项目创新工程重要方向项目、装备研制。
为大力弘扬科学家精神，涵养优良学风，营造创新氛围，中国科学院组织开展2023年中国科学院年度人物和年度团队评选活动，集中展示新时代涌现出的先进典型，引导干部职工对标身边榜样，心系“国家事”、肩扛“国家责”，切实履行国家战略科技力量主力军的职责使命，以科技创新实践谱写科学家精神新篇章。2023年的评选工作于2023年10月初启动，经所党委推荐，中国科学院有关部门组织专家初评和评审委员会复评，产生了1...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 P型 铜铁矿基 氧化物 臭氧气敏 半导体材料
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2023/11/20
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型铜铁矿基氧化物臭氧气敏半导体材料及其制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 硅通孔结构 半导体器件
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2023/11/16
中国科学院深圳先进技术研究院专利：具有硅通孔结构的半导体器件
中国科学院合肥物质科学研究院专利：P型掺杂CUCRO2基稀磁半导体材料及其制备方法
一种半导体器件的制备方法及半导体器件（图）
半导体器件
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2023/11/27
本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高...
