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国防科学技术大学电子科学与工程学院数字电路课件第七章 半导体存储器
国防科学技术大学电子科学与工程学院 数字电路 课件 第七章 半导体存储器
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2013/10/17
国防科学技术大学电子科学与工程学院数字电路课件第七章 半导体存储器。
燕山大学电气工程学院电工与电子技术课件 半导体器件
燕山大学电气工程学院 电工与电子技术 课件 半导体器件
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2013/10/16
燕山大学电气工程学院电工与电子技术课件 半导体器件。
兰州化学物理研究所金属/半导体异质光催化纳米材料研究获进展（图）
金属/半导体异质光催化纳米材料研究 进展
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2012/8/27
在中国科学院“百人计划”项目和国家自然科学基金委支持下，中国科学院兰州化学物理研究所能源与环境纳米催化材料课题组在金属/半导体异质光催化纳米材料结构设计合成研究领域获新进展。
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室 微电子学 固体电子学
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2012/8/14
西安电子科技大学宽带隙半导体技术国家重点学科实验室是在宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室的基础上，2007年国家批准建设的重点实验室。实验室重点开展宽带隙（宽禁带）半导体材料与器件的应用基础研究。实验室是西安电子科技大学国家集成电路人才培养基地、微电子学与固体电子学国家重点学科和 “211”工程重点建设学科的重要支撑。
基于平面波展开法，以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料AIP、AIAs、AISb和GaP构成二维方形格子光子晶体，并对其光子晶体能态密度特性进行了数值模拟。结果表明，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料构成二维方形格子光子晶体具有较好的光子带隙，形成的最大带隙随介电常数差值的增大而增大，f=0.2a时归一化频率达到最大光子带隙，AISb具有较宽的光子禁带。该研究结果为光子晶体器件的研究提供理论依据。