搜索结果: 136-150 共查到“电子科学与技术 半导体”相关记录1486条 . 查询时间(0.103 秒)
2023年4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备正式亮相功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛。该设备依托X射线计算机层析成像（CL）技术和先进的缺陷智能检测软件算法，为IGBT模块封测提供了全新的无损检测解决方案。
中国科学院理化技术研究所专利：液态金属冷却的级联式半导体温差发电装置
中国科学院半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展（图）
氮化物材料 半导体 二维材料
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2023/7/7
202年4月24日，半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则；同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。相关工作以“二维材料辅助的氮化物外延生长准则（Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth）”，...
中国科学院理化技术研究所专利：硅基半导体的拉曼散射增强基底及其制法和应用
华南师范大学半导体科学与技术学院来访华南理工大学微电子学院调研交流（图）
华南师大 华南理工大 微电子学院 集成电路
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2024/4/26
为了加强校际的交流和联系，共同提高学科建设水平，2023年4月19日上午，华南师范大学半导体科学与技术学院吴岚书记一行来访华南理工大学微电子学院调研交流，学院院长薛泉教授、副院长李斌教授及教师代表接待来宾并座谈。
中国科学院半导体研究所在硅上In线的光致相变机理研究中获进展（图）
硅上In线 光致相变机理 半导体技术
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2023/4/19
自20世纪初期，量子理论对技术发展做出了重大贡献。尽管量子理论取得了成功，但由于缺乏非平衡量子系统的框架，其应用主要限于平衡系统。超短激光脉冲和自由电子加速器X射线的产生，推动了整个非平衡超快动力学领域的发展。超快现象在物理、化学和生物等领域备受关注，例如光致相变、光诱导退磁、高能离子碰撞和分子化学反应等。非平衡超快领域的实验研究成果颇丰，已成为热点。然而，实验不能给出原子尺度的原子/分子位移，故...
中国科学院物理研究所专利：一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法
中国科学院物理研究所专利：一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法
中国科学院物理研究所专利：具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法
中国科学院物理研究所专利：一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
中国科学院物理研究所专利：一种亚铁磁性半导体LaCu3Fe2Os2O12及其制备方法
国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产线正式投产（图）
氮化镓 半导体 激光器 芯片
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2023/11/12
近日，飓芯科技的氮化镓（GaN）半导体激光器芯片量产线投产发布会在柳州市莲花山庄1号厅举行，柳州市长张壮出席发布会并宣布产线正式投产。中国科学院院士、北京大学教授甘子钊，中国工程院院士、清华大学教授罗毅，广西飓芯科技董事长、北京大学教授胡晓东，副市长汤振国，广西飓芯科技总经理宗华博士，市政府秘书长刘伯臣共同见证。
中国科学院半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理（图）
亚铁磁自旋调控 自旋电子器件 轨道耦合
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2023/7/7
自旋电子器件是解决后摩尔时代信息科学“存储墙”等瓶颈的重要选项。作为新原理器件，自旋电子器件如何通过新材料和新原理快速突破性能极限成为当务之急。近年来，亚铁磁和共线反铁磁等反铁磁耦合材料因其超快自旋动力学（~THz）和低退磁场特性成为自旋电子学领域的明星材料，人们暗自期待采用亚铁磁和反铁磁材料发展出优于铁磁的自旋存储器。然而，反铁磁耦合材料究竟如何与自旋流相互作用、能否作为低势垒信息存储介质、能否...