搜索结果: 121-135 共查到“电子科学与技术 半导体”相关记录1485条 . 查询时间(0.09 秒)
广东省科学院半导体研究所刘宁炀高级工程师（图）
刘宁炀 广东省科学院 半导体研究所 半导体材料
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2023/5/16
刘宁炀博士，1984年出生于广西梧州，2003年-2012年在北京大学物理学院先后获得理学学士、博士学位，测试分析平台副主任，高级工程师，从事半导体照明及第三代半导体材料与器件研发工作。
燕英强，山东郓城人，硕士，高级工程师，资深半导体先进封装技术工程师，具备丰富的技术开发、项目管理和生产管理经验。2007毕业于广东工业大学，获得材料学硕士学位。
张康，高级工程师，1987年8月生，安徽东至人。2011年进入广东省工业技术研究院（原广州有色金属研究院）工作，2016年原工研院整体并入广东省科学院后，任职于广东省科学院半导体研究所材料外延平台开展技术研发工作。
庄巍是集成电路及微纳技术专家，长期从事半导体和集成电路领域的应用研究和管理工作，在先进集成电路设计等领域做出的创新型工作，应用于国民经济重要部门，推动了相关领域的突破性进展。多次承担完成国家“863计划”课题，拥有多项专利，领导具有核心自主知识产权的SoC芯片量产。研发的自主产权集成电路产品进入国际市场，在“一带一路”合作国家取得优良业绩。
广东省科学院半导体研究所范建林教授（图）
范建林 广东省科学院 半导体研究所 集成电路
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2023/5/16
范建林教授，1966年2月生，加拿大籍， 2012年江苏省创新团队领军人才，江南大学物联网学院的特聘教授，曾获得国家工信部2015年度第十届“中国芯”最具潜质产品，2015年无锡市第十八届专利奖。
广东省科学院半导体研究所刘珠明研究员（图）
刘珠明 广东省科学院 半导体研究所 半导体器件
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2023/5/16
刘珠明，博士，2005年毕业于中国科学院大学获电工理论与新技术专业博士，2005～2006年在中科院微电子所工作；2006～2010年在英国Nottingham大学从事博士后研究；2010～2013在英国Swansea 大学从事博士后研究；2013～2019年11月在中国科学院电工研究所工作，任研究员。
广东省科学院半导体研究所陈志涛教授级高级工程师（图）
陈志涛 广东省科学院 半导体研究所 半导体材料
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2023/5/16
陈志涛，博士，教授级高级工程师。1979年11月出生于江西萍乡。2001年获西安交通大学学士学位，2006年获北京大学博士学位；其后在北京大学从事博士后工作，并于2008年赴日本名古屋工业大学从事财团特任研究员工作，2012年回国任广东半导体照明产业技术研究院副院长，2016年3月任广东省半导体产业技术研究院副院长（主持工作），2018年6月任广东省半导体产业技术研究院院长。2012年12月获教授...
天津市集成电路行业协会应邀参加第五届全球半导体产业与电子技术（重庆）博览会（图）
天津市 半导体 电子技术 博览会
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2023/11/28
2023年5月10日，天津市集成电路行业协会人员参加了在重庆国际博览中心举办的第五届全球半导体产业与电子技术（重庆）博览会并与大会相关组织方及部分参会企业进行了深入交流。参加此次博览会有利于协会了解国际国内半导体产业最新的发展动态、加强区域间行业交流及为天津市集成电路行业协会会员企业提供更好的宣传及服务。
中国科学院半导体所非共线反铁磁自旋调控研究获进展（图）
半导体所 铁磁自旋调控 铁磁材料
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2023/5/11
传统的自旋信息器件主要基于对铁磁材料中磁矩的精确操控与探测，但由于杂散场、较小的磁各向异性场等本征缺陷，使得铁磁自旋信息器件面临挑战。具有零净磁矩的反铁磁材料拥有超快的自旋动力学特征、极小的杂散场和较强的抗外场干扰能力，在超高密度信息存储和超高速度信息处理方面颇具应用潜力，被认为是下一代自旋信息器件重要的候选载体材料。拓扑反铁磁材料（如典型代表Mn3Sn）集合了常规反铁磁体中零杂散场和超快自旋动力...
中国科学院微电子研究所在半导体器件物理领域获进展（图）
半导体器件 载流子 宏观电学
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2023/5/10
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域获进展（图）
微电子所 半导体器件 物理领域
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2023/5/11
半导体器件存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是领域内的难点和重点。
中国科学院微电子所在半导体器件物理领域取得重要进展（图）
半导体器件 非线性输运 聚合物器件
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2023/8/21
由于半导体器件广泛存在缺陷态等无序因素，其载流子的输运往往表现为跃迁形式。因半导体中的缺陷态种类较为复杂，准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性一直是本领域内的难点及重要话题。
中国科学院化学研究所专利：对有机胺类气体具有荧光响应的一维有机半导体纳米管及其制备方法和应用
“量子”学术沙龙第三期：杂化半导体中的自旋量子态调控（图）
量子 学术沙龙 杂化半导体 自旋量子态
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2023/5/11
2023年4月27日下午15:00，“量子”学术沙龙活动第三期在格物楼502智慧教室举行，报告由翟亚新教授主讲，廖洁桥副院长主持，学院钟显辉教授、任昌亮教授等四十余位师生参加了活动。
2023年4月26日，由中科院高能物理研究所济南研究部（济南中科核技术研究院）自主研发的全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备正式亮相功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛。该设备依托X射线计算机层析成像（CL）技术和先进的缺陷智能检测软件算法，为IGBT模块封测提供了全新的无损检测解决方案。