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北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作,揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制,深入理解高压调控的光学跃迁演化过程,为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》(Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
北京大学东莞光电研究院常务副院长张国义教授一行来访南方科技大学深港微电子学院调研座谈(图)
北京大学东莞光电研究院 张国义 南方科技大学深港微电子学院 调研 半导体材料与器件
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2022/10/18
氮化镓(GaN)材料所具有的宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度,使之成为功率开关器件的理想之选。GaN基功率器件凭借其耐高温、耐高压、高频和低损耗等特性大大提升电力器件集成度,简化了电路设计和散热支持,具有重要的价值和广泛的应用。然而,在GaN基电子器件中实现高耐压性能,有赖于极低的贯穿位错密度的高质量GaN基晶体材料。降低GaN材料缺陷密度、提高晶体材料质量是当前第三代半导体领域最具挑战的课...
近日,北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心极端光学研究团队朱瑞研究员、龚旗煌院士与英国萨里大学张伟教授、美国劳伦斯伯克利国家实验室Thomas P. Russell教授合作,在介电调控提升钙钛矿光伏性能研究中取得重要进展。相关研究成果以“钙钛矿光伏器件中的介电屏蔽”(Dielectric screening in perovskite photovoltaic...
日前,中国电子学会公布了2021年度电子信息领域优秀科技论文遴选结果。北京大学物理学院量子材料科学中心2017级博士研究生葛军、2016级博士研究生刘彦昭为共同第一作者、王健教授为共同通讯作者的论文《高陈数和高温无朗道能级的量子霍尔效应》(High-Chern-number and high-temperature quantum Hall effect without Landau levels...
新春乐咏金牛颂,物院频传喜鹊歌。近日,美国斯隆基金会(Alfred P. Sloan Foundation)公布了2021年获得斯隆研究奖(Sloan Research Fellowships)的学者名单,128位学者获此殊荣,其中北京大学物理学院校友2位。戴亮,北京大学物理学院2007级本科生,2015年于约翰霍普金斯大学获得博士学位,2020年7月加入加利福尼亚大学伯克利分校,现任助理教授。他...
近日,信息科学技术学院微纳电子学系2016级博士生陈汪勇(导师杜刚教授,新器件实验室刘晓彦教授杜刚教授研究团队),因其在半导体新器件与电路可靠性模型模拟方面的突出工作,荣获2020年IEEE EDS全球博士生奖学金(IEEE EDS PhD Student Fellowship Award)。
随着5G无线通信、片上光互联、消费电子等行业的迅速发展,对激光器的集成化、小型化、低功耗等的需求日益攀升。半导体微纳激光器成为了光电材料与信息器件领域重要的研究方向。
2020年8月15日,2020中国电子学会科学技术奖励大会在北京举行。大会上,中国电子学会副理事长、国家自然科学基金委员会党组成员、副主任、中国科学院院士陆建华发布了“2020电子信息领域优秀科技论文”,由电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室在读博士研究生谢雨农担任第一作者、彭练矛和张志勇教授担任通讯作者的论文《采用三维架构加速碳纳米管集成电路》(Speeding up carbon nan...
北京大学电子学系碳基电子学研究中心、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇-彭练矛课题组与中国科学院苏州纳米与仿生技术研究所赵建文课题组合作,系统地对碳纳米管晶体管进行抗辐照加强设计,制备了对辐照损伤几近免疫的碳纳米管晶体管和集成电路。联合课题组针对场效应晶体管的所有易受辐照损伤的部位采用辐照加强设计,优化晶体管的结构和材料,包括选用半导体碳纳米管作为有源区、离子液体凝胶(Ion gel)作为栅...
2020年度“求是杰出青年学者奖”遴选结果日前揭晓。经求是科技基金会审慎评选,北京大学微纳电子学系黄芊芊特聘研究员因其在半导体器件技术领域内的出色工作,获得2020年度“求是杰出青年学者奖”。黄芊芊,现任北京大学微纳电子学系特聘研究员、博士生导师,主要研究方向为后摩尔时代超低功耗微纳电子器件及其在逻辑电路、神经形态计算等领域的应用。已发表论文60余篇,其中以第一作者/通讯作者身份在微电子领域顶级国...
为庆祝“全国科技工作者日”的到来,2020年5月29日,科技部高技术研究发展中心在西苑饭店组织召开国家重点研发计划重点专项项目负责人座谈会,对“项目执行优秀团队”进行了表彰。由北京大学微纳电子学系杨玉超特聘研究员牵头、北京大学联合清华大学和浙江大学承担的重点研发计划项目“多端非易失纳米逻辑器件及运算功能拓展”获评项目执行优秀团队,该成果为纳米专项3个获得表彰的项目之一。