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搜索结果: 1-15 共查到电子科学与技术 北京大学相关记录210条 . 查询时间(0.965 秒)
2023年6月14日,北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、教育部长江特聘教授沈波教授受南方科技大学深港微电子学院与材料科学与工程学院联合邀请,于工学院北楼506举办讲座,报告主题为《氮化物宽禁带半导体大失配和缺陷控制》。沈波教授在分析氮化物半导体大失配异质外延物理本质基础上,主要讨论两点: (1)蓝宝石村底上AIN、高AI组分A1GaN 及其量子阱结构的外延生长和p型掺杂: (2)Si...
张青,北京大学材料科学与工程学院博士生导师,副教授,主要从事纳米光学和半导体光学材料的可控制备、光谱物理与微腔光学功能器件的研究工作,包括:1)新型半导体光学增益材料如卤化物钙钛矿材料的可控制备;2)半导体微腔光-物质强相互作用、室温激子极化激元材料与物理;3)微纳激光材料与器件设计。
在材料科学的新时代,我们必须处理各种各样的物质。不仅在材料科学领域,而且在化学和凝聚态物理领域,都可以说同样的话。由于此类物质的大部分物理和化学性质取决于其电子状态,因此可以说,正确理解物质的电子状态对下一代科学和技术至关重要。新概念材料学从理解物质的电子状态开始,通过理论指导实际应用。
北京大学材料科学与工程学院王前教授课题组利用全新方法,发现了迄今最稳定的三电荷负离子结构。王前教授带领团队利用量子力学统计原理,创建了全新的计算机模型,并证明由元素硼与铍等组成的三电荷负离子,能在2.65电子伏特的冲击下保持稳定。研究人员将八电子规则和硼烷结构电子计数规则等化学原理结合,为设计其他三电荷负离子提供了全新思路。(原文链接:Colossal Stability of Gas-Phase...
北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作,揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制,深入理解高压调控的光学跃迁演化过程,为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》(Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
内容寻址存储器(Content addressable memory, CAM)是以内容进行寻址的存储器,其将输入数据与阵列中存储的所有数据同时进行比较并输出相应的匹配信息,能在存储器内部以高并行度和高能效实现搜索与相似度检测运算,减少了数据传输,近年来在完成边缘智能计算等任务中展现出极大的潜力。传统基于SRAM的CAM除了实现数据的存储,还需要额外的硬件开销实现数据的比较操作。为了降低执行CAM...
提高摩擦起电材料的传输电荷密度及研究其内在的起电机制对于开发更清洁高效的摩擦纳米发电机(Triboelectric nanogenerator, TENG))及支持快速发展的物联网及元宇宙至关重要。但是,聚合物的复杂结构,导致决定起电材料极性和带电强度的因素很难确定,很少有研究可以提供规范指导,以扩展到更多的材料。缺乏有效的实验方法来操纵聚合物的分子结构是这一研究的主要障碍之一。
2021年8月31日上午,北京大学东莞光电研究院常务副院长、北京大学物理学院张国义教授,北京大学东莞光电研究院副院长王琦来访南方科技大学深港微电子学院调研座谈。南方科技大学深港微电子院长于洪宇教授,党支部书记汪青教授接待来访嘉宾,双方座谈交流。南方科技大学微电子学院研究教授丁孙安参加座谈。
氮化镓(GaN)材料所具有的宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度,使之成为功率开关器件的理想之选。GaN基功率器件凭借其耐高温、耐高压、高频和低损耗等特性大大提升电力器件集成度,简化了电路设计和散热支持,具有重要的价值和广泛的应用。然而,在GaN基电子器件中实现高耐压性能,有赖于极低的贯穿位错密度的高质量GaN基晶体材料。降低GaN材料缺陷密度、提高晶体材料质量是当前第三代半导体领域最具挑战的课...
近日,北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心极端光学研究团队朱瑞研究员、龚旗煌院士与英国萨里大学张伟教授、美国劳伦斯伯克利国家实验室Thomas P. Russell教授合作,在介电调控提升钙钛矿光伏性能研究中取得重要进展。相关研究成果以“钙钛矿光伏器件中的介电屏蔽”(Dielectric screening in perovskite photovoltaic...
于晓梅,教授,研究领域:微光机电系统,生物微机电系统,纳机电器件。目前主要从事微纳机电系统方面的研究工作,研究方向包括:基于MEMS技术的非制冷红外和太赫兹焦平面阵列及其成像技术研究;超材料功能元件及其在红外和太赫兹成像技术领域的应用研究;微悬臂梁式生化传感器及其与CMOS电路的单片集成技术研究;硅基纳米结构和器件的制造技术研究等。近年来,主持国家自然科学基金项目5项、国家高技术研究发展计划项目1...
杨振川,教授。研究领域:微机电系统。
于民,副教授。从事辐射探测器技术,集成电路工艺模拟研究,参加了多项国家级科研项目,先后发表期刊学术论文11篇,会议论文30篇。2008年北京市科学技术奖,技术发明类一等奖,2009年教育部,科技进步一等奖。
杨玉超,研究员。研究领域:类脑计算、智能硬件、忆阻器。长期从事类脑计算研究工作,迄今共发表Nature Electronics、Nature Communications、Advanced Materials、Nano Letters、IEEE EDL等期刊和会议论文70余篇,SCI引用3800余次,6篇文章入选TOP 1% ESI高被引论文,多篇论文入选封面、年度论文、编辑精选等,另撰写中英文专...
王兆江,教授级高级工程师。研究领域:微电子设备与技术。

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