搜索结果: 1-8 共查到“电子科学与技术 北京大学物理学院”相关记录8条 . 查询时间(0.475 秒)
氮化镓(GaN)材料所具有的宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度,使之成为功率开关器件的理想之选。GaN基功率器件凭借其耐高温、耐高压、高频和低损耗等特性大大提升电力器件集成度,简化了电路设计和散热支持,具有重要的价值和广泛的应用。然而,在GaN基电子器件中实现高耐压性能,有赖于极低的贯穿位错密度的高质量GaN基晶体材料。降低GaN材料缺陷密度、提高晶体材料质量是当前第三代半导体领域最具挑战的课...
近日,北京大学物理学院、人工微结构和介观物理国家重点实验室、纳光电子前沿科学中心极端光学研究团队朱瑞研究员、龚旗煌院士与英国萨里大学张伟教授、美国劳伦斯伯克利国家实验室Thomas P. Russell教授合作,在介电调控提升钙钛矿光伏性能研究中取得重要进展。相关研究成果以“钙钛矿光伏器件中的介电屏蔽”(Dielectric screening in perovskite photovoltaic...
日前,中国电子学会公布了2021年度电子信息领域优秀科技论文遴选结果。北京大学物理学院量子材料科学中心2017级博士研究生葛军、2016级博士研究生刘彦昭为共同第一作者、王健教授为共同通讯作者的论文《高陈数和高温无朗道能级的量子霍尔效应》(High-Chern-number and high-temperature quantum Hall effect without Landau levels...
新春乐咏金牛颂,物院频传喜鹊歌。近日,美国斯隆基金会(Alfred P. Sloan Foundation)公布了2021年获得斯隆研究奖(Sloan Research Fellowships)的学者名单,128位学者获此殊荣,其中北京大学物理学院校友2位。戴亮,北京大学物理学院2007级本科生,2015年于约翰霍普金斯大学获得博士学位,2020年7月加入加利福尼亚大学伯克利分校,现任助理教授。他...
近年来,半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明,新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后,通过实验证实了这类材料存在能谷极化现象,并具有从紫外拓展到可见光、近红外以及远红外波段的可调能隙功能,相关研究近日发表在《纳米通讯》上,。
北京大学物理学院重离子物理研究所射频超导与自由电子激光课题组黄森林副教授与美国SLAC国家加速器实验室合作,在国际上首次产生了200阿秒的高亮度X射线脉冲(此前XFEL的最短脉冲长度为几个飞秒)。这一工作近日作为亮点文章发表在《物理评论快报》上【 S. Huang et al.,Physical Review Letters 119,154801(2017)】,同时被Physics的编辑选为特别关...