搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 存储器”相关记录108条 . 查询时间(0.113 秒)
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展（图）
芯片 集成 微电子
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2024/2/29
传统贝叶斯机面临三大挑战：一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流；二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加，因此需要高密度的存储器；三是存储器和随机源的分离，导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院微电子研究所专利：非挥发性半导体存储器及其存储操作方法
中国科学院微电子研究所 专利 非挥发性 半导体存储器 存储操作
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：非挥发性半导体存储器及其存储操作方法
中国科学院基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展（图）
垂直架构 二维半导体 铁电多值存储器
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2022/11/28
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，受到静电场屏蔽效应减弱，利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在单位面积内...
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展（图）
垂直架构 新型二维半导体 铁电多值存储器
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2023/2/17
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度，其受到静电场屏蔽效应大大减弱，利用门电压可以对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管（Memtransistor）可以模拟人脑中复杂的突触活动，有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外，相比于平面构型，二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面，这使其能够进行任意垂直组装，可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式，从而在...
2022年7月27日12时12分，中国科学院首发火箭“力箭一号”在酒泉卫星发射中心成功发射，将空间新技术试验卫星、电磁组装试验双星等六颗卫星成功送入预定轨道，发射任务圆满成功。中国科学院微电子研究所设备中心蔡建团队研制的“激光微推进系统”随电磁组装试验双星一同发射入轨；一室韩郑生团队研制的“抗辐射KW65609ES型静态随机存储器（SRAM存储器）”搭载于“空间元器件辐射效应在轨试验平台”随空间新...
内容寻址存储器（Content addressable memory, CAM）是以内容进行寻址的存储器，其将输入数据与阵列中存储的所有数据同时进行比较并输出相应的匹配信息，能在存储器内部以高并行度和高能效实现搜索与相似度检测运算，减少了数据传输，近年来在完成边缘智能计算等任务中展现出极大的潜力。传统基于SRAM的CAM除了实现数据的存储，还需要额外的硬件开销实现数据的比较操作。为了降低执行CAM...
东南大学电子科学与工程学院、东南大学微电子学院第十一期微•电学术沙龙 “新型存储器与类神经态器件”顺利举办（图）
东南大学电子科学与工程学院 东南大学微电子学院 新型存储器 类神经态器件
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2022/5/7
为加强学术交流、拓展研究思路、激发创新活力，2022年3月31日下午3点，东南大学电子、微电子学院举办了主题为“新型存储器与类神经态器件” 的第十一期微·电学术沙龙。本次沙龙以线上方式进行，邀请了南京大学万青老师与东南大学电子学院蔡浩老师进行了学术分享，吸引了100多名师生参加，由电子、微电子学院青委会秘书长黄晓东老师主持。
相变存储器集约模型综述（图）
相变存储器 非易失性存储器 神经形态计算电路
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2022/3/7
相变存储器（PhaseChangeMemory）作为一种新型的非易失性存储器，在存储级内存、神经形态计算等领域被认为是有力的候选技术之一。在国际上，Intel，IBM等公司都在相变存储器领域有多年的技术积累。在存储器技术的发展过程中，面向电路设计仿真的集约模型（CompactModel）不可或缺。在存储、选通单元的匹配，存储单元的寄生和串扰效应，以及包含驱动电路的整芯片的设计中，集约模型都起到连接...
华中科技大学光学与电子信息学院王超老师课题组在基于转置存储器、支持片上学习的多核异构 人工智能处理器研究领域取得进展（图）
华中科技大学光学与电子信息学院 王超 转置存储器 多核异构 人工智能 处理器
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2021/11/17
随着以深度神经网络（DNN）为代表的AI模型的飞速发展，其在特征识别、语音处理等日常应用中被广泛应用。然而在功耗受限的边缘计算（Edge Computing）与智能物联网 （AIoT）领域中，高功耗的传统深度学习平台难以发挥其高性能的优势。这种需求引起了学术界对高能效硬件加速器研究的广泛关注，旨在减少AIoT终端片上学习与推理需要的能耗。深度信念网络（Deep Belief Network, DB...
中国科学院物理研究所等构筑出20纳秒写入/擦除时间超快非易失存储器（图）
中国科学院物理研究所 存储器
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2021/5/6
中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等，利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性，无须修改商用的器件结构，首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件，实现了其纳秒级（~20 ns）的读写时间（商用闪存器件为百微秒）、极高的擦除/写入比（~1010）和极长的存储时间（10年以上）。
2021年3月20日，中国集成电路创新联盟召开“2021集成电路产业链协同创新发展交流会”。由中国科学院微电子研究所和长江存储科技有限责任公司联合研发的两款“128层3D NAND三维闪存芯片”（X2-9060和X2-6070）荣获“IC创新奖”之“技术创新奖”。
近日，微电子所刘明院士科研团队研究成果成功入选2021年第68届国际固态集成电路会议（ISSCC 2021）。这是微电子所首次以第一作者单位在集成电路设计领域最高级别会议上发表论文。高密度嵌入式非易失性存储器（eNVM）在消费电子、自动驾驶汽车、工业控制和物联网边缘设备等领域的SOC芯片中需求非常大。尽管当前嵌入式NOR闪存仍是主流，但其工艺复杂、集成成本高、难以扩展到28纳米以下节点。阻变存储器...
中国科学院微电子研究所在新型存储器及硬件安全芯片领域取得突破性进展（图）
中国科学院微电子研究所 新型存储器 硬件安全芯片
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2020/6/23
近日微电子所在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队两篇研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会（Symposium on VLSI）。在硬件安全芯片领域，刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管（Charge Trapping FinFET，CT-FinFET）器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器（TRNG）芯片（图1）。研究人员创新...
复旦大学微电子学院江安全课题组研制出具有产业化前景的高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管（图）
复旦大学微电子学院 江安全 产业化前景 高密度 存算一体化 非易失性 铁电单晶畴壁 存储器 晶体管
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2020/6/24
近期，复旦大学微电子学院江安全课题组柴晓杰和江均等联合韩国首尔大学、英国圣安德鲁斯大学、中北大学、中科院物理所、浙江大学和华东师范大学以及济南晶正公司等研发出的新型铁电畴壁存储器，采用铌酸锂单晶薄膜材料与硅基电路低温键合（图1），存储介质无缺陷、晶界和空洞等，突破了新型多晶薄膜存储器的单元一致性和高可靠性集成技术的瓶颈。日前，相关研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的LiNbO3铁电单晶畴壁存储...