搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子科学与技术 存储器”相关记录39条 . 查询时间(0.249 秒)
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展(图)
芯片 集成 微电子
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2024/2/29
传统贝叶斯机面临三大挑战:一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流;二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加,因此需要高密度的存储器;三是存储器和随机源的分离,导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器研究获进展(图)
垂直架构 二维半导体 铁电多值存储器
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2022/11/28
二维层状半导体材料得益于原子级薄的厚度,受到静电场屏蔽效应减弱,利用门电压可对其电学性能进行有效调控。利用二维层状半导体材料构建的多端忆阻晶体管(Memtransistor)可以模拟人脑中复杂的突触活动,有望应用于未来非冯架构的神经形态计算等。此外,相比于平面构型,二维纳米功能材料通常具有开放且洁净的界面,使其能够进行任意垂直组装,可实现硅基半导体工艺所不能兼容的多层向上集成范式,从而在单位面积内...
基于垂直架构的新型二维半导体/铁电多值存储器取得进展(图)
垂直架构 新型二维半导体 铁电多值存储器
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2023/2/17
东南大学电子科学与工程学院、东南大学微电子学院第十一期微•电学术沙龙 “新型存储器与类神经态器件”顺利举办(图)
东南大学电子科学与工程学院 东南大学微电子学院 新型存储器 类神经态器件
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2022/5/7
相变存储器集约模型综述(图)
相变存储器 非易失性存储器 神经形态计算电路
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2022/3/7
华中科技大学光学与电子信息学院王超老师课题组在基于转置存储器、支持片上学习的多核异构 人工智能处理器研究领域取得进展(图)
华中科技大学光学与电子信息学院 王超 转置存储器 多核异构 人工智能 处理器
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2021/11/17
随着以深度神经网络(DNN)为代表的AI模型的飞速发展,其在特征识别、语音处理等日常应用中被广泛应用。然而在功耗受限的边缘计算(Edge Computing)与智能物联网 (AIoT)领域中,高功耗的传统深度学习平台难以发挥其高性能的优势。这种需求引起了学术界对高能效硬件加速器研究的广泛关注,旨在减少AIoT终端片上学习与推理需要的能耗。深度信念网络(Deep Belief Network, DB...
中国科学院物理研究所等构筑出20纳秒写入/擦除时间超快非易失存储器(图)
中国科学院物理研究所 存储器
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2021/5/6
中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等,利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性,无须修改商用的器件结构,首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件,实现了其纳秒级(~20 ns)的读写时间(商用闪存器件为百微秒)、极高的擦除/写入比(~1010)和极长的存储时间(10年以上)。
2021年3月20日,中国集成电路创新联盟召开“2021集成电路产业链协同创新发展交流会”。由中国科学院微电子研究所和长江存储科技有限责任公司联合研发的两款“128层3D NAND三维闪存芯片”(X2-9060和X2-6070)荣获“IC创新奖”之“技术创新奖”。
中国科学院微电子研究所在新型存储器及硬件安全芯片领域取得突破性进展(图)
中国科学院微电子研究所 新型存储器 硬件安全芯片
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2020/6/23
近日微电子所在新型存储器及硬件安全芯片研究领域取得重要进展。刘明院士科研团队两篇研究论文成功入选2020年第40届超大规模集成电路研讨会(Symposium on VLSI)。在硬件安全芯片领域,刘明院士/吕杭炳研究员团队展示了一种利用电荷俘获鳍式晶体管(Charge Trapping FinFET,CT-FinFET)器件短期阈值电压恢复特征的真随机数发生器(TRNG)芯片(图1)。研究人员创新...
复旦大学微电子学院江安全课题组研制出具有产业化前景的高密度存算一体化非易失性铁电单晶畴壁存储器和晶体管(图)
复旦大学微电子学院 江安全 产业化前景 高密度 存算一体化 非易失性 铁电单晶畴壁 存储器 晶体管
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2020/6/24
近期,复旦大学微电子学院江安全课题组柴晓杰和江均等联合韩国首尔大学、英国圣安德鲁斯大学、中北大学、中科院物理所、浙江大学和华东师范大学以及济南晶正公司等研发出的新型铁电畴壁存储器,采用铌酸锂单晶薄膜材料与硅基电路低温键合(图1),存储介质无缺陷、晶界和空洞等,突破了新型多晶薄膜存储器的单元一致性和高可靠性集成技术的瓶颈。日前,相关研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的LiNbO3铁电单晶畴壁存储...
中国科学院微电子研究所在阻变存储器与铁电FinFET方向取得突破性进展(图)
中国科学院微电子研究所 阻变存储器 铁电FinFET方向
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2018/12/27
近日,2018国际电子器件大会(IEDM)在美国旧金山召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了28纳米嵌入式阻变存储器可靠性优化以及基于HfZrO铁电FinFET器件的最新研究成果。对于新型存储器RRAM,初始电形成过程会增加电路设计复杂度,带来可靠性问题,一直是工业界和科研界研究的热点。刘明院士团队在RRAM方向的研究具有丰富的经验,针对28纳米的1Mb RRAM测试芯片(IEDM 2017 ...
中国科学院微电子研究所阻变存储器集成应用研究获进展(图)
中国科学院微电子研究所 阻变存储器 集成应用
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2017/12/21
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后续工艺节点中嵌入式存储的主要解决方案。刘明团队在RRAM方向具有长达10年的研究积累,于2015年开始联合中芯国际、国网智芯等单位,以产学研合作方式共同推进RRAM的实用化。经过两年多的努力,在中芯国际28nm平...