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北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作，揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制，深入理解高压调控的光学跃迁演化过程，为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》（Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
采用密度泛函理论（DFT）B3LYP/6-31G方法，对设计的6个不同位置取代氨基的香豆素衍生物的几何构型进行优化。在所得优化结构的基础上对这些分子的稳态二阶NLO系数β值进行计算分析，并采用含时密度泛函理论（TD-DFT）方法计算了其电子性质，研究了取代位置对香豆素类衍生物分子的二阶NLO性质的影响规律。结果表明：当氨基取代在4号位时香豆素分子中的羰基表现出供电性，对分子内电荷转移非常不利，不利...
可预测纳米结构光学性质的新模型
纳米结构 光学性质 模型
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2011/11/10
气溶胶和纳米粒子在工业污染物大气处理过程、星际化学和药物输送系统中都起到关键作用，并已成为一个日益重要的研究领域，而它们通常是由简单结构单元组成的复杂颗粒。不列颠哥伦比亚大学研究人员表示，可以基于简单的纳米级物体，预测其构成的复杂非导电纳米结构的光学性质，进而了解粒子结构。
氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质
绝缘埋层 微观结构 光学性质
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2009/10/20
本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O+(200keV,1.8×1018/cm2)和N+(180keV,4×1017/cm2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O+和N+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000-...