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氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质绝缘埋层微观结构光学性质 < 2009/10/20

本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O+(200keV,1.8×1018/cm2)和N+(180keV,4×1017/cm2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O+和N+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000-...