搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 晶格”相关记录29条 . 查询时间(0.072 秒)
中国科学院半导体所设计出超高自旋轨道矩效率的反演对称破缺超晶格（图）
中国科学院 半导体所 自旋轨道 矩效率 超晶格 Nano Letters
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2023/11/23
中国科学院半导体研究所的朱礼军研究员团队提出了“反演对称破缺的自旋轨道矩超晶格“的概念，并预言此类超晶格的自旋轨道矩效率应随超晶格周期数n线性增长直至无穷大。然而，实验发现[Pt/Co/MgO]n超晶格中存在自旋霍尔角、磁化强度、电阻率、平整度随重复周期数增大而衰退的现象，最高实现了56%的自旋轨道矩效率 [Physical Review Applied 18, 064052 (2022)]。
北京大学材料科学与工程学院张青课题组与北京大学工学院力学与工程科学系韦小丁课题组合作，揭示了二维InSe层状半导体材料在静水压作用下随层厚变化的晶格应变机制，深入理解高压调控的光学跃迁演化过程，为高水平光电器件设计提供了新思路。研究结果以《薄层硒化铟高压作用下各向异性应变及近红外发光调控》（Probing Anisotropic Deformation and Near-Infrared Emis...
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向新功能半导体器件与芯片
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 新功能半导体器件与芯片 半导体器件 芯片
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2022/10/4
基于锑化物和高速硅基光互连，开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片，实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片；发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片，着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向，开展高速硅光互连通信芯片研究。
基于新型低维半导体材料的新奇物理性质，开展相关物性表征与器件效应研究。发展超低频拉曼光谱技术，研究低维量子体系中的声子物理和声子输运特性；研究低维材料的微纳光电器件；研究基于低维半导体的柔性电子器件，发展全柔性智能感知器件与系统集成。
利用电子自旋进行信息的传递、处理与存储，开展相关自旋电子材料与器件的物理研究。探索高性能自旋电子材料制备，研究自旋的注入及自旋轨道耦合相关物理现象与效应；实现全电学的自旋调控，研制自旋存储、逻辑及自旋人工智能器件。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室科研方向半导体中的新奇量子现象
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 科研方向 半导体中的新奇量子现象 半导体 量子现象
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2022/10/4
通过探索半导体及其低维量子结构中的新奇量子现象，发展基于量子效应的新原理、新器件和新应用，旨在解决当前半导体科技中的关键问题，包括解决晶体管面临的物理极限、大规模光电集成缺少片上光源问题、缺乏高性能p型透明导电氧化物等。
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室
中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室 半导体
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2022/9/27
半导体超晶格国家重点实验室(The State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures)1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员，实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要...
近期，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心国际功能材料量子设计中心与中国科学院强耦合量子材料物理重点实验室教授曾长淦研究组及其合作者在kagome晶格新奇物性研究方面取得新进展，以层状材料Fe3Sn2为平台首次在kagome晶格体系中实验观察到近乎无色散的平带电子结构，并结合理论阐明了其高温铁磁序的机制。相关结果以编辑推荐形式（Editors’ Suggestion）近日发表在《物理评论...
中国科学院合肥物质科学研究院在五氧化二钽晶格结构研究中取得进展（图）
中国科学院合肥物质科学研究院 五氧化 二钽晶格结构 宽带隙 半导体材料
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2018/5/30
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所物质计算科学研究室研究员杨勇在五氧化二钽晶格结构研究方面取得新进展，相关结果发表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。五氧化二钽 (Ta2O5) 是一种用途广泛的宽带隙半导体材料。由于具有很高的介电常数，它是替代二氧化硅 (SiO2) 作为新一代电子器...
中国科学院固体研究所在五氧化二钽晶格结构研究方面取得重要进展（图）
中国科学院固体研究所 五氧化二钽 晶格结构
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2018/5/16
近期，固体所物质计算科学研究室杨勇研究员在五氧化二钽晶格结构研究方面取得重要进展，相关结果发表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。五氧化二钽 (Ta2O5) 是一种用途广泛的宽带隙半导体材料。由于具有很高的介电常数，它是替代二氧化硅 (SiO2) 作为新一代电子器件的氧化物绝缘层的备选材料之一。它...
最近中国科学院大学物理科学学院博士生导师、中国科学院拓扑量子计算卓越创新中心的周武研究员、张余洋副教授与美国范德堡大学Sokrates T. Pantelides教授（中国科学院大学特聘访问教授）、新加坡国立大学Kian Ping Loh教授、新加坡南洋理工大学Zheng Liu教授等课题组合作，针对构筑二维半导体量子阱及超晶格结构问题开展研究，利用二维平面异质结界面形成的周期性位错驱动二维量子阱...
半导体超晶格国家重点实验室
半导体超晶格国家重点实验室 固体半导体中的电子、自旋和光子的调控
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2016/6/17
半导体超晶格国家重点实验室(The State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures)于1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为李树深院士。实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。实验室目前有固定人员43人：研究员25人、副研究员1...
InGaAs雪崩光电探测器（APD）因具有内部电流增益使其在长距离光通讯和单光子探测等方面受到青睐，其高灵敏度特征也使人们渴望能将其制成阵列器件用于航天遥感等领域，但其高倍增电压带来的均匀性差和不易与读出电路配合等问题限制了在此方面的发展。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员在国家自然科学基金等的支持下通过采用独特设计大幅降低了InGaAs APD的倍增电压，成功...