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中国科学院合肥物质科学研究院在五氧化二钽晶格结构研究中取得进展（图）
中国科学院合肥物质科学研究院 五氧化 二钽晶格结构 宽带隙 半导体材料
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2018/5/30
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所物质计算科学研究室研究员杨勇在五氧化二钽晶格结构研究方面取得新进展，相关结果发表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。五氧化二钽 (Ta2O5) 是一种用途广泛的宽带隙半导体材料。由于具有很高的介电常数，它是替代二氧化硅 (SiO2) 作为新一代电子器...
中国科学院固体研究所在五氧化二钽晶格结构研究方面取得重要进展（图）
中国科学院固体研究所 五氧化二钽 晶格结构
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2018/5/16
近期，固体所物质计算科学研究室杨勇研究员在五氧化二钽晶格结构研究方面取得重要进展，相关结果发表在Physical Review Materials (Phys. Rev. Materials, 2, 034602 (2018))上。五氧化二钽 (Ta2O5) 是一种用途广泛的宽带隙半导体材料。由于具有很高的介电常数，它是替代二氧化硅 (SiO2) 作为新一代电子器件的氧化物绝缘层的备选材料之一。它...