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搜索结果: 1-15 共查到学术机构 电子科学与技术 半导体研究所相关记录16条 . 查询时间(0.226 秒)
中国科学院半导体研究所光电系统实验室以半导体研究所雄厚的光电子器件研究实力为依托,围绕国家战略需求,进行光电系统与技术的研究,致力于促进我国光电子产业的发展。目前实验室的主要研究方向括: 光纤传感;激光探测与成像技术;激光雷达技术;无线光学通信;半导体激光显示。光电系统实验室拥有国际一流设备与仪器,为科研活动的开展和人才培养提供了良好的条件。目前承担约20项国家级和院内外项目,包括国...
中国科学院于2004年开始筹建“中国科学院半导体照明研发中心”,经过两年的基本建设,形成了一支优秀的研发队伍,具有国际先进水平的研发平台,在半导体照明核心技术方面取得了重大突破,形成了一系列成果和知识产权,2006年4月中国科学院正式批准,依托中国科学院半导体研究所成立“中国科学院半导体照明研发中心”(科发人教字〔2006〕99号)非法人研究单元,开发引领未来的半导体照明技术,提升创新能力,支撑产...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心(以下简称“工程中心”)是由国家发改委(原国家计委)根据我国光电子技术及其产业化的要求和国内外市场的需要,依托中科院半导体所组建并运行的国家级工程研究中心。旨在针对国家亟需的光电子器件开展工程化研究,为产业化提供所需的关键技术、共性技术及成套工艺。工程中心于1992年7月1日原国家计划委员会计科技函〔1992〕29号文件,批准成立,并于1996年12...
广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属的24个骨干研究院所之一,正处级公益二类事业单位,其前身是2010年10月在时任广东省委书记汪洋的关怀下成立的广东半导体照明产业技术研究院。2015年6月经省委、省政府批准,由原广东省科学院、广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院)、广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)、广东省石油化工研究院等研究院所整合重组新广东省科学院,2016年4月成为独立...
半导体超晶格国家重点实验室(The State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures)1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建,1990年开始对外开放,1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员,实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要...
根据国家、中国科学院和半导体所的发展战略需要,2002年开始筹建综合性半导体工艺技术加工平台——半导体集成技术工程研究中心(以下简称中心)。中心拥有配套齐全的先进工艺平台、1700平米的超净工艺线和1100平米的办公用房,于2004年12月完成并投入使用。中心建立了规范的人员、服务和设备管理体系,具备了微纳电子学、光电子学以及微电子机械器件的集成加工及测试表征能力,对研究所科研目标的凝练、国家级重...
这里是中国科学院半导体研究所-新型半导体光电材料课题组,负责人牛智川研究员。课题组近年来承担着国家科技部、国家自然科学基金委、中科院等部门的多项重大/重点研究课题,在新型III-V族半导体光电子材料与新型量子器件这一重要研究领域积极开拓探索,不断取得新的研究成果。主要研究方向:GaAs、GaSb基低维材料的分子束外延生长,受限电子、光子体系基础物理现象,高性能光电器件及量子效应器件制备。
全固态光源实验室始建于2004年,包括高功率全固态激光器及其应用研究两部分。经过几年的努力,已经形成了一支结构合理、具有较强科研实力和创新能力的人才队伍,拥有优秀的学科带头人和一支高效的科研团队以及大量精良的仪器设备。在高功率、高亮度激光器研究,高功率调Q、锁模激光器研究,非线性频率变换以及高功率全固态激光器的工业应用等方面开展了有一定影响的研究工作,与国内多个大学和研究所建立了长期稳定的合作关系...
中科院半导体所高性能集成电路实验室长期从事高速电路研发。上世纪八十年代起,研究方向就集中在高速数模混合电路。八十年代初研发新型高速D/A转换器,八十年代中研发出10ns的12X12位高速数码乘法器,九十年代起将八十年代初研发的高速D/A转换器单片集成化,实现超高速工作,之后开展了系列的高速转换器及高速DDS芯片的研发。这些工作先后获中科院科技进步一等奖一次、二等奖二次、国家发明三等奖一次、北京市科...
高速电路与神经网络实验室的学术积累来自半导体所20世纪70年代末由王守觉院士组建的新器件、新电路研究室的多值、模糊逻辑电路、高速数模混合电路、半导体人工神经网络算法及硬件化系统研究、智能信息处理、模式识别、电力设备状态监测等科研方向的系列研究成果。实验室将在这些基础上结合当今科学技术的前沿发展趋势和社会需求,开展高性能集成电路研究,开展神经网络图像处理与识别研究,开展以半导体微电子技术、连接主义(...
1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。
1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。
中国科学院半导体研究所光电子研发中心主要由集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区所组成。集成光电子学国家重点联合实验室在科技部组织的历次评估与总结活动中均名列前茅,在2002年和2007年信息类国家重点实验室评估中被评为优秀类实验室。实验室重点研究基于半导体光电子材料、低维纳米结构材料的新型光电子器件以及集成器件,特别是具有应用导向的新型光子功能器件。设有硅基光电子器件与集成,硅基光波导器件...
中国科学院半导体研究所是1956年按照“12年科学发展远景规划”中“四项紧急措施”开始着手筹建的,是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究所,正式成立于1960年。建所以来,半导体所在我国半导体科技发展的各个历史阶段都曾做出过突出的贡献。研制出中国第一只锗晶体管,硅平面晶体管,固体组件;第一根锗单晶,硅单晶,砷化镓单晶;设计制造出第一台硅单晶炉,区熔炉...
青岛半导体研究所(QSRI)创建于1965年,是国家军用高可靠电子元器件定点研制生产单位,设备仪器先进,工艺技术可靠。主要从事V/F、I/F、滤波器、加速度计伺服电路等微电子技术产品以及DC/DC电源等微电路模块产品的研制、开发和生产,产品技术在国内处于领先水平,有的达到国际同类产品同期先进水平。青岛半导体研究所的主要产品有单片模拟集成电路、混合集成电路、DC/DC电源和电子功能模块集成电路、电力...

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