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28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用。
2023年7月11日,苏州长光华芯光电技术股份有限公司(以下简称“长光华芯”)在2023慕尼黑上海光博会举办“氮化镓激光器产业化项目”签约发布仪式。
2023年6月14日,中科院科技促进发展局在长春组织召开了由中科院长春光机所承担的中国科学院科技成果转移转化重点专项(弘光专项)项目“绿色超高清集成封装LED显示技术研发及产业化”第一阶段第一节点验收会议。中科院科技促进发展局武斌副局长、知识产权处邱显杰副处长,长春光机所孙守红所务委员、成果转化处吕宝林副处长、财务管理处周舒副处长,项目评审专家组、项目组成员参加了验收会,会议由邱显杰副处长主持。
华天科技2023年3月27日晚间发布2022年年报,2022年公司共完成集成电路封装量419.19亿只,晶圆级集成电路封装量138.95万片;公司实现营业收入119.06亿元,同比下降1.58%;净利润7.54亿元,同比下降46.74%。拟10派0.26元。
国家集成电路设计深圳产业化基地(简称:深圳IC基地、基地)于2001年经科技部批准成立,是八个国家级IC设计产业化基地之一,是科技部实施国家“十五”、“十一五”重大科技计划的载体。深圳IC基地于2002年建设,2003年开始对外服务。深圳市高新技术产业促进中心(深圳市软件和集成电路产业发展中心设计)(简称:产业中心)是为了基地的建设、管理和服务,经市编制办公室批准成立的财政核拨补助处级法人事业单位...
022年8月31日,格科微有限公司募投项目“12英寸CIS集成电路特色工艺研发与产业化项目” BSI产线投片成功!首个晶圆工程批良率超过95%,标志着BSI产线顺利进入风险量产,即将步入大规模量产阶段。公司高管和员工代表出席庆祝仪式,共同见证格科微这一里程碑式的历史性时刻。
2022年8月26日,第四届世界新能源汽车大会(WNEVC 2022)期间,“车规级芯片技术突破与产业化发展”技术研讨会在北京亦创国际会展中心成功举办。大会由中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明担任会议主席,由国家新能源汽车技术创新中心总经理、中国汽车芯片产业创新战略联盟秘书长原诚寅主持。来自英飞凌科技、黑芝麻智能科技有限公司、纳芯微电子、芯旺微电子、基本半导体、北京经纬恒润科技股份有限...
2022年7月21日 ,大连达利凯普科技股份公司高端电子元器件产业化项目竣工典礼暨投产仪式于金普新区举行。该项目的竣工投 产,标志着达利凯普规模与产能的进一步扩大,为金普新区打造千亿级电子信息产业集群注入新的动能。
氮化物基发光二极管(LED)是新一代半导体照明光源的核心器件,具有高效节能、绿色环保的特点,是半导体照明产品走进千家万户的关键。随着各国淘汰白炽灯计划、国际《水俣公约》限汞排放淘汰荧光灯计划的进一步实施,半导体照明市场呈现爆发式增长。产业发展初期,核心技术被欧美日企业垄断,芯片产品高度依赖进口。中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心与三安光电股份有限公司等9家公司,历时十余年联合技术创新,率先突...
氮化物基发光二极管(LED)是新一代半导体照明光源的核心器件,具有高效节能、绿色环保的特点,是半导体照明产品走进千家万户的关键。随着各国淘汰白炽灯计划、国际《水俣公约》限汞排放淘汰荧光灯计划的进一步实施,半导体照明市场呈现爆发式增长。产业发展初期,核心技术被欧美日企业垄断,芯片产品高度依赖进口。
由广州慧智微电子股份有限公司牵头、清华大学以及惠州TCL移动通信有限公司共同完成的“多频多模移动终端可重构射频芯片关键技术与产业化应用”项目荣获中国通信学会科学技术一等奖。由邬贺铨院士担任主任委员的科技成果评价委员会认为:“该项目总体技术达到国际先进水平,其中SOI和GaAs的SiP架构的可重构射频前端芯片技术处于国际领先水平”。
微波视频一体化交通智能感知终端研发及产业化应用。
工信部印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021—2023年)》 推动关键共性技术攻关和产业化。电子元器件是支撑信息技术产业发展的基石,也是保障产业链供应链~稳定的关键。为加快电子元器件产业高质量发展,工业和信息化部近日印发《基础电子元器件产业发展行动计划(2021—2023年)》,明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重要市场,推动基础电子元器件产业实现突破,并增强...
2020年1月15日,中国科学院2021年度工作会议在北京召开,会上宣读并表彰了中科院2020年度科技促进发展奖,物理所碳化硅晶体生长和加工技术研发及产业化团队获奖。碳化硅 (SiC) 晶体是一种性能优异的宽禁带半导体材料,在发光器件、电力电子器件、射频微波器件制备等领域具有广泛的应用。但其晶体生长极其困难,只有少数发达国家掌握 SiC 晶体生长和加工技术。SiC 晶体国产化,对避免我国宽禁带半导...
近期,复旦大学微电子学院江安全课题组柴晓杰和江均等联合韩国首尔大学、英国圣安德鲁斯大学、中北大学、中科院物理所、浙江大学和华东师范大学以及济南晶正公司等研发出的新型铁电畴壁存储器,采用铌酸锂单晶薄膜材料与硅基电路低温键合(图1),存储介质无缺陷、晶界和空洞等,突破了新型多晶薄膜存储器的单元一致性和高可靠性集成技术的瓶颈。日前,相关研究成果以《与硅底集成和自带选择管功能的LiNbO3铁电单晶畴壁存储...

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