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中国科学院半导体研究所吴南健研究员、刘力源研究员带领的技术团队长期致力于高速成像芯片研究，并取得一系列重要进展。采用梯度掺杂光电二极管和非均匀掺杂传输管沟道的新型像素结构，有效降低电荷转移路径中的电荷势垒/势阱、电荷反弹效应和光电二极管中电荷残留，减小了拖尾现象。采用低功耗设计的像素信号读出电路阵列，降低了图像传感器芯片的整体功耗。研制出1000帧每秒高速低功耗CMOS图像传感芯片，发表相关方向学...
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来，是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高，高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势，可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
“光电子科技引领 半导体创‘芯’未来”系列科技成果展示之四 | 高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化（图）
科技成果展示 高光效 长寿命 半导体照明 氮化物基发光二极管 核心器件
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2022/9/27
氮化物基发光二极管（LED）是新一代半导体照明光源的核心器件，具有高效节能、绿色环保的特点，是半导体照明产品走进千家万户的关键。随着各国淘汰白炽灯计划、国际《水俣公约》限汞排放淘汰荧光灯计划的进一步实施，半导体照明市场呈现爆发式增长。产业发展初期，核心技术被欧美日企业垄断，芯片产品高度依赖进口。中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心与三安光电股份有限公司等9家公司，历时十余年联合技术创新，率先突...
氮化物基发光二极管（LED）是新一代半导体照明光源的核心器件，具有高效节能、绿色环保的特点，是半导体照明产品走进千家万户的关键。随着各国淘汰白炽灯计划、国际《水俣公约》限汞排放淘汰荧光灯计划的进一步实施，半导体照明市场呈现爆发式增长。产业发展初期，核心技术被欧美日企业垄断，芯片产品高度依赖进口。
通信用半导体激光器技术专有性强、工艺复杂度高，至今仍是技术壁垒高、行业垄断性强的高技术领域。我国在光通信模块和系统领域逐渐走在世界前沿，但在高性能光芯片领域，依然主要依赖进口。半导体所王圩院士团队长期致力于通信用半导体激光器芯片的研发，并取得了一系列重要成果。团队在我国率先研制出1.3微米/1.5微米波段激光器和应变量子阱动态单模DFB激光器，使半导体所成为我国通信波段半导体激光器及集成器件的核心...
中国科学院半导体研究所赵德刚研究员团队长期致力于GaN基光电子材料外延生长与器件研究。近年来，团队逐步解决了紫外半导体激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、大失配外延应力调控以及器件自发热等一系列关键问题，在紫外半导体激光器研制方面取得了一系列重要进展。2016年实现了国内第一支GaN基紫外半导体激光器的电注入激射。2022年研制出激射波长为384nm、室温连续输出功率为2W的大功率...
氮化镓（GaN）材料被称为第三代半导体材料，其光谱范围覆盖了近红外、可见光和紫外全波段，在光电子学领域有重要的应用价值。其中GaN基紫外半导体激光器具备波长短、光子能量大的特点，在消毒杀菌、病毒检测、激光加工、紫外固化和短距离光通信等领域具有重要应用，一直是国际相关领域的研究热点和技术难点。但由于该激光器是基于大失配异质外延材料技术制备而成，导致其缺陷多、发光效率低，器件研制难度大。