搜索结果: 151-165 共查到“电子科学与技术 半导体研究所”相关记录315条 . 查询时间(0.253 秒)
中国科学院半导体研究所等在纳米线量子点单光子发射研究中获得新发现（图）
纳米线量子点 单光子发射 研究发现
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2013/3/25
半导体自组织InAs量子点因其具有“类原子”特性，是目前量子物理和量子信息器件研究最重要的固态量子结构之一。基于InAs量子点的高品质单光子的发射、读取、操纵、存储以及并行计算等是热点研究方向。而InAs单量子点的可控制备（如精确定位、有序扩展、与光学谐振腔耦合等）是目前面临的挑战性问题。
中国科学院半导体研究所三项科研成果荣获2012年北京市科学技术奖（图）
中国科学院半导体研究所 科研成果 2012年 北京市 科学技术奖
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2013/2/28
2013年2月21日，北京市委、市政府隆重召开2012年度北京市科学技术奖励大会，会上宣布了 2012年度北京市科学技术奖获奖项目共184项，其中一等奖27项；二等奖53项；三等奖104项。
中国科学院半导体研究所在单晶硅太阳电池研究中获得突破
半导体 单晶硅 太阳电池 研究突破
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2013/1/21
由中科院半导体研究所韩培德研究员领导的光伏能源组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点，在单晶硅衬底上研发出效率高达20.0%的太阳电池（短路电流密度JSC=43.9mA/cm2，开路电压VOC=602mV，填充因子FF=0.758），并经中国计量科学研究院认证。
中国科学院半导体研究所王晓亮研究员获“全国优秀科技工作者”荣誉称号（图）
王晓亮 “全国优秀科技工作者”
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2013/1/15
近日，中国科协“全国优秀科技工作者”评选结果揭晓，半导体所王晓亮研究员荣获第五届“全国优秀科技工作者”荣誉称号。
中国科学院半导体研究所低温LT-GaAs材料成功应用于制备太赫兹天线
低温LT-GaAs材料 成功应用 制备太赫兹天线
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2012/12/21
太赫兹(THz)波通常是指频率在0.1～10THz（波长介于微波与红外波之间的0.03～3毫米范围）的电磁波。太赫兹成像和波谱技术将是太赫兹应用的主要技术。太赫兹具有高频和超短脉冲（皮秒量级）特性，使之具有很高的空间分辨率和时间分辨率。太赫兹能量很小，不会对物质产生破坏作用，所以比X射线技术更具优势。此外，许多生物大分子的振动和转动共振频率也处在太赫兹波段。因此，开发太赫兹波技术将对宽带通信、雷达...
中国科学院半导体研究所2013年硕士招生专业目录
中国科学院半导体研究所 2013年 硕士招生 专业目录
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2012/11/22
中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实验室、2个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科研仪器设备和设施，承担着一批国家重点科技支撑项目（如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等）及地方、企业委托项目等。
中国科学院半导体研究所2013年博士招生专业目录
中国科学院半导体研究所 2013年 博士招生 专业目录
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2012/11/22
中国科学院半导体研究所成立于1960年，是集半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心、3个国家重点实验室、2个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科研仪器设备和设施，承担着一批国家重点科技支撑项目（如973计划、863计划、国家自然科学基金重大重点项目等）及地方、企业委托项目等。
武汉光电国家实验室能源光电子功能实验室主任沈国震教授 赴中国科学院半导体研究所进行学术交流（图）
武汉光电国家实验室 能源光电子功能实验室 主任沈国震教授 半导体所 学术交流
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2012/10/24
应半导体研究所集成技术中心主任王志明教授的邀请，2012年10月19日下午，武汉光电国家实验室能源光电子功能实验室主任的沈国震教授来半导体所进行学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第179期报告。
台湾工业技术研究院院长徐爵民一行来访中国科学院半导体研究所（图）
LED照明 MOCVD重大装备 微纳技术
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2012/8/8
2012年8月6日上午，台湾工业技术研究院院长徐爵民一行来半导体研究所访问，与半导体所副所长陈弘达、半导体集成技术工程中心主任杨富华、中科院半导体照明研发中心副主任王国宏、曾一平等进行了座谈交流，陪同调研的还有中科院港澳台事务办公室高级主管安建基和科技部海峡两岸科技交流中心业务主管李嫣。
锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构，电子有效质量大，俄歇复合率低，波长调节范围大（约3-30微米），在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探测器相比，二类超晶格红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当，在甚长波波段则有较大优势；与量子阱红外探测器相比，其量子效率高，性能远高于量子阱红外探测器。因此，锑化物InAs/GaSb二类超晶格...
中国科学院半导体研究所硕士生导师倪卫宁副研究员
硕士生导师 副研究员 半导体研究所 数模混合集成电路
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2012/5/16
倪卫宁，中国科学院半导体研究所博士，副研究员，硕士生导师。主持和参与完成多项数模混合集成电路研发项目，现为中国科学院半导体研究所副研究员，硕士生导师。主要研究方向包括：模数和数模转换器，直接数字频率合成器等数模混合集成电路。
中国科学院半导体研究所硕士生导师周燕研究员（图）
硕士生导师 研究员 半导体研究所 外腔半导体激光器
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2012/5/16
周燕，中国科学院半导体研究所研究员，硕士生导师。主要研究方向包括：光电信息探测及弱信号检测，主要研究解决目标信息探测、传输、处理及显示的新理论、新方法、新技术及新装备的研究；重点研究激光探测夜视成像技术、三维探测成像技术以及多普勒干涉测量技术方面的研究；光电成像系统的性能评价方法及测试技术研究；主要研究解决低照度条件下，系统的客观评价校准及测试技术；半导体激光光源技术的研究；主要开展用于照明和干涉...
中国科学院半导体研究所硕士生导师许兴胜研究员（图）
硕士生导师 研究员 半导体研究所 光子微结构器件
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2012/5/16
许兴胜，中国科学院半导体研究所研究员。近年来研制了硅基四路光子晶体波分复用器、GaAs基光子晶体垂直腔面发射激光器、光子晶体GaN LED、量子点单光子源等器件，并对光子微纳结构控制自发辐射进行了系统研究。目前主要研究方向：光子晶体和光子微结构器件及其光子集成；光子微纳结构中光与物质的相互作用，单分子与单量子点的调控、探测及其应用。目前主持国家自然基金项目“光子晶体垂直腔面发射激光器研究”、863...
吴远大，中国科学院半导体研究所，博士，副研究员，硕士研究生导师。承担和参与国家自然基金、“863”、“973”项目多项。在国内外主要刊物上发表相关论文二十多篇，申请发明专利多项。目前主要从事“三网融合”“光纤到户”核心光子器件芯片产业化技术研究。目前研究方向包括：PLC型光分路器芯片产业化技术；阵列波导光栅（AWG）芯片产业化技术；硅基发光器件与光互连技术；面向“物联网”的集成光波导传感芯片研究等...
