搜索结果: 136-150 共查到“电子科学与技术 半导体研究所”相关记录315条 . 查询时间(0.112 秒)
中国科学院半导体研究所高性能集成电路实验室
中国科学院半导体研究所高性能集成电路实验室 集成电路
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2014/3/27
中科院半导体所高性能集成电路实验室长期从事高速电路研发。上世纪八十年代起，研究方向就集中在高速数模混合电路。八十年代初研发新型高速D/A转换器，八十年代中研发出10ns的12X12位高速数码乘法器，九十年代起将八十年代初研发的高速D/A转换器单片集成化，实现超高速工作，之后开展了系列的高速转换器及高速DDS芯片的研发。这些工作先后获中科院科技进步一等奖一次、二等奖二次、国家发明三等奖一次、北京市科...
中国科学院半导体研究所高速电路与神经网络实验室
中国科学院半导体研究所高速电路与神经网络实验室 半导体
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2014/3/27
高速电路与神经网络实验室的学术积累来自半导体所20世纪70年代末由王守觉院士组建的新器件、新电路研究室的多值、模糊逻辑电路、高速数模混合电路、半导体人工神经网络算法及硬件化系统研究、智能信息处理、模式识别、电力设备状态监测等科研方向的系列研究成果。实验室将在这些基础上结合当今科学技术的前沿发展趋势和社会需求，开展高性能集成电路研究，开展神经网络图像处理与识别研究，开展以半导体微电子技术、连接主义（...
中国科学院半导体研究所机构知识库
中国科学院半导体研究所机构知识库 半导体
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2014/3/27
1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所），开启了中国半导体科学技术的发展之路。
中国科学院半导体研究所“氮化镓基LED用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目通过验收
半导体 氮化镓基LED 蓝宝石图形
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2014/3/19
2014年3月14日，由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基LED用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。专家们一致认为：项目的实施有利于提高半导体照明行业自主创新能力和产业竞争力，对推动北京市乃至全国半导体照明行业上游关键材料的发展具有重要的意义。
中国科学院半导体研究所通过扭曲石墨烯成功诱导贋磁场和谷电流（图）
扭曲石墨烯 贋磁场 谷电流
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2014/3/17
石墨烯电子结构最重要的特点之一是具有被称为“谷”（valley）自旋的二重自由度。如何在石墨烯体系中实现“谷”自旋极化流一直是近些年石墨烯基础研究领域的一个重要目标。人们期望对“谷”自旋自由度进行量子操控，使之能应用于未来的信息技术。
半导体自组织量子点、量子环具有“类原子”特性，是目前量子信息与科技前沿领域固态量子物理和信息器件十分重要的量子结构，也是实现高品质单光子源、纠缠光子对、A-B(Aharonov-Bohm)效应、量子态操纵及量子计算器件的理想体系，还在太阳能电池、微腔激光器、传感器等新型微纳光电器件中具有重要应用前景。目前，上述量子结构的可控制备依然面临挑战。
中国科学院半导体研究所发现一种新的二维半导体材料——ReS2（图）
半导体 二维半导体材料 ReS2
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2014/2/19
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室由中美联合培养的博士后Sefaattin Tongay等人在吴军桥教授、李京波研究员、李树深院士的团队中，在二维ReS2 材料基础研究中取得新进展，发现ReS2 是一种新的二维半导体材料。相关成果发表在2014年2月6日的《自然-通讯》上，即Nature Communication, 2014,5, Article number:3252, doi:...
二维半导体材料拥有独特的物理性质，可以应用于不同的技术领域，因此成为了纳米交叉学科的研究热点。石墨烯是目前研究最为广泛的二维材料，但由于其带隙为零，限制了它在许多领域中的应用。作为石墨烯的类似物，具有半导体带隙的金属硫化物备受关注。基于这些二维半导体材料的光电器件具有优越的性能，并且可以设计复杂的器件结构。由于大的比表面积，这些二维材料具有很好的气敏传感能力。制备这些二维材料的单层或少层结构有许多...
中国科学院半导体研究所在半导体材料砷化镓/锗中拓扑相方面获重要发现（图）
中国科学院半导体研究所 半导体材料 砷化镓 锗中拓扑相
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2014/2/17
中国科学院半导体研究所常凯研究组，提出利用表面极化电荷在传统常见半导体材料GaAs/Ge中实现拓扑绝缘体相。通过第一性原理计算和多带k.p理论成功的证明了GaAs/Ge极化电荷诱导的拓扑绝缘体相，这为拓扑绝缘体的器件应用有向前推进了一步。
中国科学院半导体研究所“低热阻高光效半导体照明关键技术”通过鉴定（图）
半导体 低热阻高光效 半导体照明 微电子
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2014/1/21
2014年1月18日，由中国科学院科技促进发展局主持召开的“低热阻高光效半导体照明关键技术”科技成果鉴定会在中科院半导体研究所举行。
中国科学院半导体研究所制备成功红外量子级联激光器系列产品
中国科学院半导体研究所 红外量子级联激光器系列产品
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2013/12/9
中科院半导体所半导体材料科学重点实验室，低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在国家科技部，自然科学基金，及中科院等项目的支持下，经过多年的基础研究和技术开发，制备成功红外量子级联激光器(QCL)系列产品。
中国科学院半导体研究所制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品（图）
半导体 太赫兹 量子级联 激光器
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2013/12/5
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品。
中国科学院半导体研究所召开2013科技北京国际论坛（图）
中国科学院半导体研究所 2013 科技北京 国际论坛
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2013/10/17
2013年10月14日，2013科技北京国际论坛——激光、无线电波专题技术交流会在半导体研究所召开。俄罗斯指南针集团公司研究中心主任安德烈•巴特拉郭芙、俄罗斯国有技术集团指南针公司设计发展中心主任艾烈克桑德罗•顾罗夫，中国驻俄罗斯大使馆虞民铎参赞，北京市科协孙金来处长，半导体所光电系统实验室主任李芳研究员、副主任周燕研究员、科研管理与质量控制处副处长徐艳坤等30余人参加交流...
中国科学院半导体研究所等在二维半导体异质结研究中取得新进展（图）
半导体 二维半导体异质结
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2013/10/14
近日，中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士生康俊，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的研究团队中，与美国劳伦斯伯克利国家实验室（LBNL）汪林望博士研究组合作，在二维半导体异质结的基础研究中取得新进展。相关成果发表在9月30日美国化学学会主办的《纳米快报》（Nano Letters）上。
中国科学院半导体研究所在(Ga,Mn)As纳米线研究方面取得进展（图）
(Ga,Mn)As纳米线 研究进展
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2013/4/23
(Ga,Mn)As同时具有半导体和铁磁体的特征，过去十余年里受到高度关注，已经成为磁性半导体的代表性材料，但是其较低的居里温度限制了它的实际应用。