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中国科学院半导体研究所2014年博士生招生简章
中国科学院半导体研究所 2014年 博士生 招生简章
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2014/12/18
中国科学院半导体研究所成立于 1960 年, 是集半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研
究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有 2 个国家级研究中心——国家光电子工艺中心、光电子器件国
家工程研究中心；3 个国家重点实验室——半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验
室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；2 个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验
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中国科学院半导体研究所多层转角石墨烯的层间耦合研究获进展（图）
半导体 多层转角石墨烯 层间耦合
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2014/11/14
石墨烯具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。将石墨烯堆叠起来可以得到多层石墨烯。除了具有和体石墨相同的Bernal堆垛(即AB堆垛)方式的多层石墨烯之外，还可以在实验室制备或者合成出不同石墨烯片层取向随机的多层石墨烯-多层转角石墨烯。堆垛方式的差异有可能导致石墨烯片层不同的层间耦合，从而影响其电子能带结构。因此不同层数的多层转角石墨...
中国科学院半导体研究所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源（图）
半导体 大功率 量子阱激光器 宽谱光源
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2014/10/11
半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。
中国科学院半导体研究所等在量子比特退相干研究中获得新发现（图）
半导体 量子比特退 比特对应
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2014/9/12
在中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室李树深院士的研究组中，博士生马稳龙与香港中文大学刘仁保教授、北京计算科学中心赵楠研究员合作，在Si:P系统量子比特的退相干研究方面取得了新的理论发现，并被英国伦敦大学John J.L. Morton教授的实验组所证实，理论和实验的工作一起发表在Nature子刊系列《自然·通讯》上。
中国科学院半导体研究所2015年硕士生招生入学考试电子线路考试大纲
中国科学院半导体研究所 2015年 硕士生 入学考试 电子线路 考试大纲
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2014/8/14
中国科学院半导体研究所2015年硕士生招生入学考试电子线路考试大纲。
中国科学院半导体研究所2015年硕士招生专业目录
中国科学院半导体研究所 2015年 硕士招生 专业目录
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2014/8/14
中国科学院半导体研究所成立于1960年，是集半导体物理、材料、器件、工艺、电
路及其集成应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心——国
家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3个国家重点实验室——半导体超晶
格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导
体所区）；2个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验室、...
中国科学院半导体研究所2014年博士生招生简章
中国科学院半导体研究所 2014年 博士生 招生简章
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2014/8/14
中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研
究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心——国家光电子工艺中心、光电子器件国
家工程研究中心；3个国家重点实验室——半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验
室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；2个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验
室、中科...
中国科学院半导体研究所2014年硕士生招生简章
中国科学院半导体研究所 2014年 硕士生 招生简章
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2014/8/14
中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、工艺、电路
及其集成应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2个国家级研究中心——国家光
电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心；3个国家重点实验室——半导体超晶格国家
重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室（半导体所区）；
2个院级重点实验室（中心）——半导体材料科学重点实验室、中科...
中国科学院半导体研究所2012年博士招生专业目录
中国科学院半导体研究所 2012年 博士招生 专业目录
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2014/8/14
中国科学院半导体研究所成立于1960年, 是集半导体物理、材料、器件、
电路及其应用研究于一体的综合性研究所。研究所目前拥有2 个国家级研究中
心、3个国家重点实验室、2个院级重点实验室及研发中心，拥有大批先进的科
研仪器设备和设施，承担着一批国家重点科技支撑项目（如973计划、863计划、
国家自然科学基金重大重点项目等）及地方、企业委托项目等。
中国科学院半导体研究所2014年硕士招生入学考试业务课考试大纲（覆盖范围）。
覆盖范围：包括原子物理、量子力学的概念和基本原理、波函数和波动方程、一维定态问题、力学量算符对称性及守恒定律、中心力场、粒子在电磁场中的运动、自旋、定态微扰论、量子跃迁。
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。
中国科学院半导体研究所超晶格室发表在Adv. Funct. Mater.的成果被收录为内封面论文，并被MaterialsViewChina网站报道
超晶 Adv. Funct. Mater 半导体
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2014/4/10
最近，中科院半导体所超晶格国家重点实验室沈国震研究员与中国科学院上海高等研究院李东栋副研究员合作，提出了一种新型的基于双面二氧化钛纳米管阵列组装的光电容集成概念，并且通过对材料的掺杂改性，成功地制备出了具有优良能量转换与存储总效率、高循环稳定性的集成光电容器件。相关成果发表在2014年4月德国Wiley主办的.
中国科学院半导体研究所2μm波段InP基量子阱激光器研究取得进展（图）
2μm波段InP基 量子阱激光器 材料制备 器件工艺
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2014/3/28
发光波长位于2-3μm波段的高性能半导体激光光源因可以广泛应用于气体探测、超长距离无中继通信、生物医学等领域而成为人们研究的热点。目前，2-3μm波段半导体激光器有源区材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱结构。GaSb基量子阱材料因其生长结构复杂，含Sb的四元甚至五元系化合物生长及界面难以控制，特别是采用适合大规模生产应用的MOCVD更难实现高质量多元锑化物的生长制备。相比较，InP基In...
中国科学院半导体研究所全固态光源实验室
中国科学院半导体研究所全固态光源实验室 半导体
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2014/3/27
全固态光源实验室始建于2004年，包括高功率全固态激光器及其应用研究两部分。经过几年的努力，已经形成了一支结构合理、具有较强科研实力和创新能力的人才队伍，拥有优秀的学科带头人和一支高效的科研团队以及大量精良的仪器设备。在高功率、高亮度激光器研究，高功率调Q、锁模激光器研究，非线性频率变换以及高功率全固态激光器的工业应用等方面开展了有一定影响的研究工作，与国内多个大学和研究所建立了长期稳定的合作关系...