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王占国,中国科学院半导体研究所博士生导师,院士。长期从事半导体材料和材料物理研究。其中,人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果,为我国的两弹一星事业发展做出了贡献。在半导体深能级物理和光谱物理研究方面取得多项国际先进水平的成果。近年来,他和他的同事又在半导体低维结构(超晶格、量子点、量子线等)材料生长、性质和量子器件研制方面获得进展。上述成果先后获国家自...
李桂荣,中国科学院半导体研究所博士,研究员,硕士生导师。2005年获理学博士学位。多年来从事新型固态量子器件探索及其物理研究,曾主持国家863项目,研制量子点光存储摄像芯片原型器件,获得了具有自主知识产权的原创性科研成果,同时对含量子点的低维结构中量子点电子态进行了深入的实验研究。目前致力于新型光电传感器研制,同时开展半导体自旋电子学物理研究
谭平恒,博士,研究员,硕士生导师。谭平恒博士一直从事碳纳米材料以及半导体低维材料的光学和电学性质研究,系统地研究了碳纳米管、石墨烯、Ge/Si自组织量子点、GaAsN合金材料以及碳纳米管束的的光学性质,获得了一系列有意义的结果。在拉曼光谱学的技术发展方面,特别是极低波数拉曼光谱的测量方面,也做了很有特色的一些成果。至今已在国内外物理期刊发表论文八十余篇,SCI影响因子大于3.0的学术刊物上发表论文...
王开友,中国科学院半导体研究所博士生导师,研究员。2009年得到中国科学院"百人计划"的资助,在半导体研究所超晶格国家重点实验室工作。迄今在国际核心刊物和国际会议上合作发表了60多篇科技论文,其中包括1篇自然物理,5篇物理评论快报, 一篇邀请文章发表在新物理杂志的特殊期刊上,发表的文章迄今被引用1500多次。 在27届国际半导体会议上被国际纯物理和应用物理组织(IUPAP)评为“青年优秀作者奖”;...
李京波,研究员,博士生导师(2007年入选中科院“百人计划”,2009年获“国家杰出青年基金”)。2001年毕业于中国科学院半导体研究所,获得理学博士学位。2001年至2004年,在美国伯克利劳伦斯国家实验室做博士后;2004年至2007年,美国再生能源国家实验室助理研究员;2007年5月,入选中国科学院“百人计划”,同时进入半导体超晶格国家重点实验室工作,从事半导体掺杂机制和纳米材料的研究。在半...
孙宝权, 博士, 研究员, 博士生导师。分别于1984年和1989年在吉林大学物理系取得学士和硕士学位,于1997年在中国科学院半导体所获得博士学位。从事半导体低维结构光学性质、输运性质和半导体中非经典光辐射场的实验研究。发表论文60多篇。“半导体低维结构光学输运特性”研究成果获2009年度国家自然科学二等奖。目前从事固态纳米尺度光与物质的相互作用,单量子点与局域光场耦合、光波导及表面等离子耦合。...
赵建华,博士,研究员,博士生导师。分别于1985 年、1988 年在吉林大学获理学学士、理学硕士学位,于1999 年在中科院物理所获理学博士学位。1988 年至1996 年于燕山大学工作。2000 年在中科院半导体所博士后出站后进入日本东北大学做博士后,2002 年10 月至今在中科院半导体所研究员。现任中科院半导体所学术委员会委员,国际期刊Semiconductor Science and T...
姬扬,男,1971年4月出生。中国科学院半导体研究所研究员,博士生导师,半导体超晶格国家重点实验室副主任。1998年,在中国科学院半导体研究所获得博士学位。2002年,入选中国科学院“百人计划”。2004年,获得国家自然科学基金委员会“杰出青年基金”。2010年,入选“朱李月华优秀教师”。主要从事半导体物理的实验研究工作,用光学方法和电学方法研究半导体中与自旋有关的物理现象和物理过程。实验条件先进...
吴晓光,博士、研究员、博士生导师。吴晓光博士1982年毕业于武汉大学,1986年在比利时、安特卫普大学获博士学位,1987年在中国科学院半导体研究所做博士后,1990年在美国俄亥俄州、俄亥俄大学物理系做博士后。1993年回国到中国科学院半导体研究所工作,现为研究员,博士生导师,获得国家杰出青年基金和中国科学院百人计划资助。长期从事低维半导体物理理论研究研究内容包括低维电子系统中的极化子、准二维电...
李树深,男,中国科学院院士,现任中国科学院半导体研究所所长,博士,研究员,博士生导师,国家自然科学基金委杰出青年基金获得者,国家自然科学基金委创新研究群体“半导体低维结构中的量子调控”学术负责人,国家重大科学研究计划项目(973项目)首席科学家,入选国家级“新世纪百千万人才工程”,中国电子学会高级会员,享受国务院政府特殊津贴,国家自然科学基金委数理学部第11、12届专家评审组成员、信息学部第五届专...
夏建白,中国科学院院士,半导体物理专家。1939年生于上海,原籍江苏苏州。1950-1956年就读上海市西中学。1965年北京大学物理系研究生毕业,留校物理系任教。1970年起在西南物理研究院从事等离子体物理研究。1978年起到中国科学院半导体研究所从事半导体和凝聚态物理等领域的研究。从1987年起集中于半导体超晶格理论研究,在发展半导体超晶格、微结构电子态理论方面作出了创造性的贡献,在国际多种核...
郑厚植,院士(1995),研究员,博士生导师。自1979年以来长期从事半导体低维量子结构物理及新器件探索,目前主要研究方向包括:1、低维量子结构物理和纳米量子器件;2、半导体自旋电子学和自旋量子器件;3、半导体中的量子相干过程、波函数工程和量子相干器件。所在的半导体超晶格国家重点实验室具备先进而齐全的超薄半导体材料生长,光学/电学测试手段。包括:4台分子束外延系统(MBE)(1新、3旧);各种稳态...
半导体所副所长祝宁华的邀请,2012年4月27日上午,爱尔兰Tyndall国立研究所的Frank H. Peters教授来该所进行学术交流,并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第161期报告。
基于硅基微纳波导的硅基光子学由于可以实现超小体积、低能耗、CMOS兼容的单片高密度光电集成,已被各国公认为突破计算机和通信超大容量、超高速信息传输和处理瓶颈的最理想技术之一。
在中国科学院和广东省共同支持下,由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。

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