搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 研究员”相关记录540条 . 查询时间(0.793 秒)
中国科学院物理研究所博士生导师刘永昌研究员（图）
中国科学院物理研究所 博士生导师 研究员 自旋电子学材料 物理及器件
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2024/1/10
刘永昌（Yong-Chang LAU），马来西亚籍华裔，特聘研究员，博士生导师。2016年博士毕业于爱尔兰都柏林圣三一学院物理系。2016年至2019年在日本东京大学和物质材料研究机构（NIMS）进行博士后研究并获选为日本学术振兴会外国人特别研究员。2019年至2021年在日本东北大学金属材料研究所任特任助理教授，2021年11月加入物理研究所怀柔研究部HM-03组。
王洋，复旦大学材料科学系青年研究员，研究方向：n型聚合物半导体材料分子设计合成及其在有机场效应晶体管中的应用；本征柔性的聚合物半导体材料的设计合成及在柔性电子中的应用；新颖的共轭聚合物合成方法研究。
为大力弘扬科学家精神，涵养优良学风，营造创新氛围，中国科学院组织开展2023年中国科学院年度人物和年度团队评选活动，集中展示新时代涌现出的先进典型，引导干部职工对标身边榜样，心系“国家事”、肩扛“国家责”，切实履行国家战略科技力量主力军的职责使命，以科技创新实践谱写科学家精神新篇章。2023年的评选工作于2023年10月初启动，经所党委推荐，中国科学院有关部门组织专家初评和评审委员会复评，产生了1...
广东省科学院半导体研究所刘珠明研究员（图）
刘珠明 广东省科学院 半导体研究所 半导体器件
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2023/5/16
刘珠明，博士，2005年毕业于中国科学院大学获电工理论与新技术专业博士，2005～2006年在中科院微电子所工作；2006～2010年在英国Nottingham大学从事博士后研究；2010～2013在英国Swansea 大学从事博士后研究；2013～2019年11月在中国科学院电工研究所工作，任研究员。
全知觉，南昌大学未来技术学院副研究员，南昌大学材料科学研究所所长，从事专业领域：半导体材料与器件、半导体物理。在研国家基金项目简介：氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究；项目号：11674147；直接经费66万；执行年限：2017.01-2020.12.；简介：该项目主要是采用理论与实验相结合的方法，研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响，建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型；提出了“...
王光绪，山东省昌乐县人，博士，研究员，南昌大学“赣江特聘教授”，国家硅基LED工程技术研究中心副主任，南昌硅基半导体科技有限公司总裁，国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省重大人才工程称号获得者，南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人，南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获江西省科技进步一等奖(排名第一)，“...
高江东，南昌大学未来技术学院助理研究员，从事专业领域：硅基氮化镓发光半导体材料生长与器件物理。在研基金项目简介：铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究。简介：由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象，使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场，造成发光效率下降；本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析，获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息，进而估计电子与空穴的有效复...
方文卿，男，研究员，64年生，83年毕业于复旦大学激光物理专业，88年硕士毕业于中科院安徽光学精密机械研究所—光学/新型激光器方向。有过电真空、激光器、单片机、氮化物LED、半导体厂房设计/建造/厂务、眼科工程师、MOCVD在线监测仪器开发等方面的经历；自感动手能力强，思路开阔，属赣鄱英才555工程的入选者；代表性的工作有：硅衬底LED外延的最主要发明人之一，晶能光电的最主要创始人之一；MOCVD...
南昌大学物理与材料学院硕士生导师张建立研究员
南昌大学物理与材料学院 硕士生导师 研究员 硅衬底GaN
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2023/3/30
张建立，男，湖北黄梅人。2014年毕业于南昌大学材料物理与化学专业，获工学博士学位。现为南昌大学国家工程技术研究中心研究员，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌大学“双一流”学科建设发光新材料技术方向负责人。主要从事硅衬底GaN相关研究，包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技...
王光绪，山东昌乐人，博士，研究员，南昌大学“赣江特聘教授”，国家硅基LED工程技术研究中心副主任，南昌硅基半导体科技有限公司总裁，国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省首批“青年井冈学者”，江西省百千万人才工程，南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人，南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获江西省科技进步一等奖...
丁杰，工程硕士，1968年10月出生，南昌大学研究员，硕士生导师。1986-1990年本科就读于合肥工业大学，2008年8月获南昌大学工程硕士学位，2003年起在南昌大学工作，2011年3月校内调职到“国家硅基LED工程技术研究中心”从事材料科学与工程专业方向科研与教学工作。主要研究方向高端半导体装备、半导体工厂厂务及安全工程、LED工程及应用。近年来发表学术论文7篇，发表发明专利4项，主持或参与...
南昌大学物理与材料学院硕士生导师李树强研究员（图）
南昌大学物理与材料学院 硕士生导师 研究员 半导体电子材料 高功率半导体激光器 高亮度AlGaInP红黄色LED和GaN蓝绿色LED外延材料
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2023/3/29
李树强，男，汉族，1972年12月生，理学博士，研究员，江西省千人计划专家，国家科技部重点研发计划项目课题负责人。1999年至2016年在山东大学工作，2016年起在南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心工作。主要研究方向：Ⅲ-Ⅴ族半导体电子材料外延生长、管芯制备和器件制作工艺和技术研究，具有开发高功率半导体激光器、高亮度AlGaInP红黄色LED和GaN蓝绿色LED外延材料、芯片和器件实战经历。...
莫春兰博士，1976年出生，南昌大学研究员，硕士生导师。1998-2006年本硕博均毕业于南昌大学，2001年起在南昌大学工作。主要从事半导体发光材料与器件的研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项；发表论文20余篇，获授权专利近10余项。
王小兰博士，1977年出生，南昌大学副研究员，硕士生导师。2007年博士毕业于中科院半导体所，2011年起在南昌大学工作。主要研究方向聚焦于GaN相关材料与器件研究。参与和主持国家重点研发项目、国家自然科学基金等10余项，发表论文30余篇，获授权及申请专利近10项。
南昌大学物理与材料学院吴小明副研究员（图）
南昌大学物理与材料学院 副研究员 吴小明 高功率硅衬底GaN基绿光及黄光LED芯片研发 高功率AlGaInP红光LED芯片研发 MicroLED芯片技术研发；
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2023/3/29
吴小明，南昌大学物理与材料学院副研究员，出生年月:1985年6月18日性别:男籍贯:江西新余。华中科技大学材料成型与控制工程本科生2003.9-2007.7，中国人民大学经济思想史硕士研究生2007.9-2009.7，南昌大学(国家Si基LED工程技术研究中心)半导体发光材料与器件博士研究生2010.9-2014.12(导师:江风益院士)。主持开发的“高光效AlGaInP基红光LED芯片制造技术”...