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搜索结果: 1-15 共查到电子科学与技术 半导体研究所相关记录20条 . 查询时间(0.204 秒)
赵维,男,1982年出生,四川省南充市人。清华大学电子工程系博士,高级工程师。2011年进入原广州有色金属研究院工作,2016年工作单位整合并入广东省科学院,现任省科学院下属广东省半导体产业技术研究院院长助理、科研部主管。兼任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会副秘书长,广东省工业气体行业协会专家组成员。
刘宁炀博士,1984年出生于广西梧州,2003年-2012年在北京大学物理学院先后获得理学学士、博士学位,测试分析平台副主任,高级工程师,从事半导体照明及第三代半导体材料与器件研发工作。
燕英强,山东郓城人,硕士,高级工程师,资深半导体先进封装技术工程师,具备丰富的技术开发、项目管理和生产管理经验。2007毕业于广东工业大学,获得材料学硕士学位。
张康,高级工程师,1987年8月生,安徽东至人。2011年进入广东省工业技术研究院(原广州有色金属研究院)工作,2016年原工研院整体并入广东省科学院后,任职于广东省科学院半导体研究所材料外延平台开展技术研发工作。
吴远大,中国科学院半导体研究所,博士,副研究员,硕士研究生导师。承担和参与国家自然基金、“863”、“973”项目多项。在国内外主要刊物上发表相关论文二十多篇,申请发明专利多项。目前主要从事“三网融合”“光纤到户”核心光子器件芯片产业化技术研究。目前研究方向包括:PLC型光分路器芯片产业化技术;阵列波导光栅(AWG)芯片产业化技术;硅基发光器件与光互连技术;面向“物联网”的集成光波导传感芯片研究等...
侯玮,中国科学院半导体研究所研究员,硕士生导师;研制出国内首台3kW/400mm光纤耦合全固态激光器样机,被评为863“十一五”重大成果。研究方向:高功率全固态激光器及其应用研究;全固态激光非线性频率变换研究。先后参加和承担国家863“九五”、“十五”和“十一五”的重大/重点项目和中科院知识创新工程重大项目等课题的研究工作,正在承担863“十二五”主题项目高功率全固态激光器课题的研究工作。发表论文...
马平,中国科学院半导体研究所,博士,研究员,硕士研究生导师。2006年博士后出站即留所工作,主要负责高效大功率LED的MOCVD外延生长及器件制备。作为课题负责人,承担国家863重大专项 “功率型白光LED产业化关键技术开发”及国家发改委项目“100lm/W功率型LED产业化量产技术开发”;作为主要技术骨干参加了多项科研课题和相关的生产任务。在国内首次于GaN衬底上实现白光LED发光。目前主要研究...
关敏,中国科学院半导体研究所,博士,副研究员,硕士生导师。于2006年加入中国科学院半导体研究所。主要研究方向包括:有机电致发光材料及器件应用、有机薄膜太阳能电池。在国内外刊物上发表相关论文二十余篇,申请专利多项。
刘超,中国科学院半导体研究所,副研究员,硕士生导师。在2002年研制出了达到国内领先水平的SiGe HBT结构材料和器件,2004年主持完成了国家自然科学基金项目“绝缘衬底上高质量锗硅材料制备工艺及其性能研究(批准号:60276045)”,并获得“优秀”评价。现负责在研的国家自然科学基金项目“新型III族氮化物基室温铁磁性单晶薄膜材料研究(批准号:60876004)”、并承担着中国科学院知识创新工...
段瑞飞,中国科学院半导体研究所,博士,副研究员,硕士研究生导师。在中国电子科技集团公司五十五所从事材料生长工作。研究方向为化合物半导体外延以及其在氮化物LED等光电子器件中的应用,涉及使用MBE、MOCVD、HVPE等方法生长III-V族化合物,主要包括氮化物的同质衬底、LED外延材料以及LED器件制备等领域。目前承担863重大项目“半导体照明工程”子课题”HVPE法制备GaN同质衬底“,参与相关...
王利军,中国科学院半导体研究所博士、研究员、硕士生导师。2006年12月起在中科院半导体所材料科学重点实验室工作。曾用光致发光(PL)、光致发光激发(PLE)、傅立叶变换红外(FTIR)吸收、微区拉曼等多种实验方法研究了ZnO, GaN等宽禁带半导体材料的光学和电学性质:主要包括半导体材料中光致发光的复合机理;材料中杂质和缺陷识别及其微观结构分析。目前主要从事中远红外量子级联激光器的研制、测试分析...
肖红领,中国科学院半导体研究所,博士。1976年9月生,现在中科院半导体所材料科学中心半导体信息功能材料与器件课题组工作,目前主要从事III-氮化物材料的生长、物理、及器件研制等工作。十五"期间作为主要研究骨干之一协助课题组完成了多项有关氮化物材料和器件的研究工作,包括中科院知识创新工程重要方向项目,自然科学基金重点项目,863项目,973项目和军工项目。作为主要研究骨干参加的中科院知识创新工程重...
徐波,中国科学院半导体研究所正高级工程师,硕士研究生导师。主要研究方向:半导体低维结构材料的可控制备及器件应用。近年来的主要研究成果包括:高质量应变自组织量子点、量子线材料的可控生长技术研究;大功率长寿命量子点激光器、红光波段量子点激光器、GaAs基1.3微米大功率量子点激光器和InP基自组织量子线激光器等新型低维半导体量子器件的研制。
杨少延,中国科学院半导体研究所博士,副研究员,硕士生导师。2006年至今主要从事:1)ZnO材料的MOCVD生长研究;2)宽禁带半导体材料衬底制备技术研究;3)稀土掺杂宽禁带半导体材料生长研究。先后负责和参与各类科研项目10余项,申请国家发明专利20余项(已授权15项),发表学术论文40余篇(第1作者10篇)。
曾湘波,中国科学院半导体研究所研究员,硕士研究生导师。2004年至今在中国科学院半导体所从事硅基薄膜光伏材料、硅低维材料的光电性质及器件研究。硅基薄膜光伏材料及光伏电池,硅低维材料的光电性质及器件研究。硅低维材料研究方面在国际上首先实现了用PECVD法制备硅纳米线与激光法比较,等离子体技术更容易实现工业化生产, 使大面积制备纳米线成为可能。硅基薄膜光伏材料研究方面提出一种处理p/i界面的方法,改...

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