搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 外延”相关记录40条 . 查询时间(0.077 秒)
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
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2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
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2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
芯生代科技发布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化镓外延产品（图）
芯生代科技 HEMT 功率器件 氮化镓
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2023/11/17
2023年11月10日，温州芯生代科技有限公司在2023世界青年科学家峰会上隆重发布了面向高电压大电流HEMT功率器件应用的850V Cynthus系列硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延产品。行业客户、知名投资机构争相了解合作。
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所 专利 FinFet器件 源漏外延
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2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院半导体所在硅基外延量子点激光器研究方面取得重要进展（图）
量子点激光器 硅基光电子 集成芯片
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2023/7/7
硅基光电子集成芯片以成熟稳定的CMOS工艺为基础，将传统光学系统所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，极大提升芯片的信息传输和处理能力，可广泛应用于超大数据中心、5G/6G、物联网、超级计算机、人工智能等新兴领域。由于硅（Si）材料发光效率低，因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓（GaAs）外延在CMOS兼容Si基衬底上，并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与Ga...
中国科学院半导体所在氮化物材料外延研究中取得新进展（图）
氮化物材料 半导体 二维材料
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2023/7/7
202年4月24日，半导体研究所照明研发中心刘志强研究员等在氮化物材料外延研究领域取得新进展，揭示了氮化物范德华外延的物理本质，提出了二维材料辅助的氮化物外延生长基本准则；同时，提出了解决本领域关键科学、技术问题的方案和路线。相关工作以“二维材料辅助的氮化物外延生长准则（Principles for 2D Material Assisted Nitrides Epitaxial Growth）”，...
中国科学院物理研究所专利：用于生长大尺寸外延片的石墨盘及其使用方法。
据晶盛机电官微消息，2023年2月4日，晶盛机电6英寸双片式碳化硅外延设备新品发布会圆满落幕，标志着晶盛机电在第三代半导体领域取得重大突破。
中国科学院半导体研究所照明研发中心刘志强研究员与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室、北京大学、北京石墨烯研究院等单位合作，在氮化物外延及热电能源器件领域取得系列研究进展，验证了氮化物异质异构单晶外延的可行性，提出了氮化物位错控制新思路，拓展了氮化物在高温热电领域的应用。相关工作分别以“二硫化钨-玻璃晶圆上生长的连续单晶氮化镓薄膜”（Continuous Single-Crystall...
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心科研方向新型衬底GaN基材料的外延技术
中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心 科研方向 新型衬底GaN基材料的外延技术 GaN基材料
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2022/10/4
围绕130lm/w以及更高亮度的白光LED的研发目标，通过公关研究，初步建立从新型单晶制备、图形衬底设计加工以及新型衬底GaN基材料外延的技术平台，可以为高效、大功率、高亮度的LED白光照明不断提供新材料支撑技术；掌握各种新型衬底上外延高质量GaN材料的关键技术，成为具有国际一流水平的白光LED基础材料研发中心，为我国半导体照明产业发展提供创新型技术支持。
西安交通大学科研团队在氧化物薄膜外延领域取得重要进展（图）
西安交通大学 精密工程 光学测试
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2023/8/8
信息社会的发展需要物联网和大数据等新兴技术，因此以钛酸钡（BTO）为代表的具有铁电性、压电性、非线性光学和挠曲电特性等多种功能的钙钛矿型氧化物材料受到了广泛关注。“后摩尔”时代，人们需要将BTO等氧化物薄膜与硅衬底集成；此外，生物传感、穿戴式电子器件等新型应用对于柔性衬底上高质量氧化物薄膜的需求日益迫切。但是，无论是在硅衬底上或是柔性衬底上实现外延单晶BTO薄膜都非常困难。硅表面在氧化物薄膜的生长...
中国科学院物理研究所实现多层MoS2外延晶圆推动二维半导体的器件应用（图）
多层MoS2 外延晶圆 二维半导体
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2022/9/14
以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性，是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来，国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破，在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室研究员张广宇课题组国际上最早发展了蓝宝石上高定向外延晶圆...
第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约宝鸡凤翔
第三代半导体材料 光电子元器件 宝鸡凤翔
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2022/10/25
2022年3月30日，陕西省宝鸡市凤翔高新技术产业开发区管理委员会与陕西昌瑞新电子科技有限公司举行第三代半导体材料外延及光电子元器件和模块封装项目签约仪式。