搜索结果: 31-40 共查到“电子科学与技术 外延”相关记录40条 . 查询时间(0.26 秒)
高速电路用GeSi/Si外延材料
HBT SiGe/Si材料 分子素外延
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2008/11/11
本项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限制在基区内，保证了pn结与SiGe/Si异质结相重合。此为目前国内生长的Si/SiGe/Si材料制备的 HBT器件的最好结果。本项目采用的GSMBE技术生长SiGe/Si高速电路用...
亚微米、深亚微米CMOS电路用薄层外延硅材料
硅 外延生长 集成电路 半导体材料
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2008/11/11
该型材料主要用于亚微米、深亚微米CMOS工艺集成电路的制造。研究中开发了Ф4-6英寸P/P+、N/N+ CMOS外延硅材料；解决了CMOS硅外延生长、外延吸杂关键技术；探讨了外延生长工艺中本征吸杂与各种外吸杂作用的机制、吸杂效率、吸杂稳定性及对硅外延片质量影响；提出了气相腐蚀、调制掺杂、重掺硅衬底片平整度改进的新工艺技术途径，建立了完整的亚微米、深亚微米CMOS电路用P/P+、N/N+硅外延片生长...
GaAs MESFET外延层中载流子浓度分布及漂移迁移率分布的实验测定
GaAs MESFET 载流子浓度 漂移迁移率
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2008/10/27
提出一种根据 C_g-V_g及 G_i-V_g关系测定 GaA: MESFET外延层中载流子浓度分布n(h)及漂移迁移率分布μ(h)的方法.给出了一些典型外延材料的实验结果.证明n(h)和μ(h)是表征外延层质量的两个重要的参数.并且发现:不同类型的迁移率分布对应于不同的栅电容弛豫.指出用稳态高频栅电容C_g~*-V_g关系求得的是表观载流子浓度分布n~*(h)和表观迁移率分布μ~*(h).它们同...
GaAs-AlGaAs双异质结（DH）外延片的位错检测
GaAs-AlGaAs 双异质结 外延片 位错检测
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2008/10/24
我们用熔融KOH作位错腐蚀剂,并用位错跟踪腐蚀的方法显示DH外延片的位错,结果表明,可以依照 DH外延片顶层(P~+-GaAs层)的位错腐蚀坑形状,区分出从 n-GaAs延伸上来的位错和由异质结外延引进的位错.
可协变硅绝缘衬底上生长宽禁带半导体碳化硅外延材料及器件制备
半导体 纳米 硅绝缘衬底 可协变硅衬底
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2008/10/6
该项目属新材料领域的半导体新型基底晶体材料，是在非晶层上的纳米晶体薄膜上，制备宽禁带半导体碳化硅外延薄膜。其核心技术是采用低维化的纳米晶体薄膜其晶格常数的可协变性，来提高其上生长的外延薄膜的晶体质量。该项目技术思想具有重大的原始创新性，属于国际领先的技术。项目正在开发自主知识产权的核心专利。项目将解决在价格低廉的硅可协变基底上，生长稀有半导体如碳化硅等宽禁带材料。项目将推动我国在高频、高温、大功率...
MOCVD生长的GaN:Mg外延膜的光电性质
霍尔效应 光致发光 p型GaN Hall effect hotoluminescence p-GaN
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2008/4/12
用MOCVD技术生长GaN: Mg外延膜，在550 ~ 950℃温度范围内，对样品进行热退火，并进行室温Hall、光致发光谱（PL）测试.Hall测试结果表明，850℃退火后空穴浓度达到8e17cm-3以上,电阻率降到0.8Ω·cm以下. 室温PL谱有两个缺陷相关发光峰，位于2.8eV的蓝光峰（BL）以及3.27eV附近的紫外峰（UVL) .蓝光峰对紫外峰的相对强度（BL/UVL）在550℃退火后...
La0.7 Sr0.3MnO3 外延膜缺陷性质的慢正电子束研究
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2007/7/28
专著信息
书名
La0.7 Sr0.3MnO3 外延膜缺陷性质的慢正电子束研究
语种
中文
撰写或编译
作者
金绍伟,顾伟伟,周先意,吴文彬,翁惠民,朱长飞,叶邦角,韩荣典
第一作者单位
出版社
低温物理学报 V26(2) 2004 p95-100
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
国内首次用分子束外延长出短周期InAs/GaSb超晶格
中国科学院半导体研究所 分子束外延技术 超晶格材料
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2007/3/8
2007年3月8日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室牛智川研究员领导的分子束外延（MBE）课题组徐应强、郝瑞亭、周志强、任正伟等人采用分子束外延技术，成功地在GaAs衬底上生长出高质量GaSb厚膜材料和2－3微米波段InAs/GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs/GaSb超晶格。
砷化镓气相外延中Zn的行为和微光材料的制备
砷化镓气相外延 掺Zn的GaAs 砷化镓光阴极材料
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2009/12/29
在Ga-AsCl3-H2系统中用金属Zn为掺杂剂,研究了气相外延GaAs时Zn的掺入和行为。GaAs中Zn的分配系数和空穴浓度分别为10和大于1020cm-3,它们都比掺Cd的GaAs大2—3个数量级。这保证了用以制备光阴极材料所需的高空穴浓度的p-GaAs。结合掺Zn和掺s,已重复制得界面良好的p-n结构材料。