搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 可靠性”相关记录92条 . 查询时间(0.077 秒)
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
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2024/3/5
碳化硅SiC（silicon carbide）具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院微电子所在氮化镓器件可靠性及热管理研究方面取得重要进展（图）
氮化镓器件 氮化物 半导体
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2024/2/29
2023年12月11日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队在氮化镓电子器件可靠性及热管理方面取得突破，六项研究成果入选第14届氮化物半导体国际会议ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。
中国科学院金属研究所专利：一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院金属研究所 专利 力电热 多场耦合 微电子
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2023/8/17
中国科学院金属研究所专利：一种力电热多场耦合下微电子产品可靠性测试方法
中国科学院微电子研究所专利：一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
中国科学院微电子研究所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得进展（图）
硅基氮化镓 横向功率器件 动态可靠性
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2023/6/2
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，而且在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
中国科学院微电子所在硅基氮化镓横向功率器件的动态可靠性研究方面取得新进展（图）
硅基氮化镓 电力系统 功率器件
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2023/8/21
硅基氮化镓横向功率器件因其低比导通电阻、高电流密度、高击穿电压和高开关速度等特性，已成为下一代高密度电力系统的主流器件之一，并在电子消费产品中得到大规模应用。由于硅基氮化镓横向功率器件电气可靠性十分有限，主要表现在硬开关工作环境中的动态电阻退化效应，这给其在寿命要求较长的领域（如数据中心、基站等电源系统）应用带来了挑战，阻碍了其在ICT电源等大功率领域中的大规模应用。
韩国科学技术研究院开发出高可靠性人工突触半导体器件
韩国科学技术研究院 人工突触半导体器件 半导体器件 自然·通讯
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2022/10/17
科技日报消息称，韩国科学技术研究院（KIST）神经形态工程中心研究团队开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件，解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。
西安电子科技大学微电子封装技术课件 封装可靠性模式-机理-检测。
近日，由西安电子科技大学出版社出版的庄奕琪教授编著的《电子设计可靠性工程》一书喜获第四届中国出版政府奖提名奖（全书90万字，责任编辑李惠萍 雷鸿俊）。中国出版政府奖是我国出版行业的最高奖项，该奖规格高、影响大，深受出版界关注，第四届中国出版政府奖提名奖全国共有119种图书入选，其中科技类图书仅有8种，此次获奖是校出版社建社34年来首次获此殊荣，是作者庄奕琪教授和出版社共同努力的结果。
“2017年极端环境微纳电子器件可靠性国际研讨会”成功举办（图）
微纳电子器件可靠性设计 失效物理研究
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2017/6/12
“2017年极端环境微纳电子器件可靠性国际研讨会”于5月22 —24日在四川省成都市举行。200余位国内外专家学者齐聚一堂，共同探讨极端环境下微纳电子器件可靠性领域的最新研究结果。
软件可靠性测试平台研究
软件可靠性 测试平台 测试自动化 实时平台
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2016/4/6
本文基于可靠性测试需求设计并实现了一种可靠性测试的平台,阐述了平台的硬件设计方案与软件设计方案,该平台硬件层、模型层、数据层、协议层与应用层均可以根据测试需求现场定义,平台的通用性较强；平台能够基于软件剖面定义实现测试用例自动生成、测试数据自动收集与可靠性测试数据的收集,为软件可靠性测试与评估提供了有力的支持。