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半导体材料是芯片工业的基础，新型半导体材料的研发为提升和扩展半导体芯片的功能带来了更多机遇。近年来，随着器件性能的快速提升，有机无机杂化铅卤素钙钛矿材料已成为公认极具前景的新型半导体材料。
中国科学院半导体研究所在CorningEAGLEXG的薄型玻璃衬底上沉积了具有理想配比的高透明导电纳米晶体氧化锡涂层。每种涂层都通过超声波喷雾热解（USP）技术将不同浓度的气溶胶溶液沉积在衬底上，衬底温度保持在623.15K。氮气除了被用作气溶胶导向气体外，还用作溶液载体，其流速分别保持在3500.0mL/min和500.0mL/min。氧化锡涂层为多晶，无论喷雾溶液的摩尔浓度如何，涂层最易沿氧化...
中国科学院微电子研究所在有机电荷转移分子调控二维材料电学特性研究上取得重要进展（图）
中国科学院微电子研究所 有机电荷 转移分子 二维材料 电学特性
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2018/12/27
微电子所刘明院士团队提出了使用有机电荷转移分子 F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过 F4TCNQ 与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范...
上海光源XAFS线站用户在II-VI半导体纳米晶的异价掺杂及光、电学性能调控研究中取得突破
晶格 半导体 纳米晶体 高效率发光器
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2015/4/10
半导体之所以能被广泛应用在今日的光电产品世界中，凭借的就是在其晶格中掺杂少量的杂质改变其电性，优化半导体纳米晶体的光、电、磁特性。半导体的掺杂研究为高效率发光器件、太阳能电池、自旋电子器件等新型光电子器件的制造奠定坚实的基础。由于纳米晶体积小，纳米晶体中杂质原子的非均匀分布对器件的工作性能和稳定性存在负面的影响。另外，由于纳米晶体生长速度快，使掺杂过程较难控制。目前的研究表明，半导体纳米晶中的存在...
纳米连接导线是未来纳米器件结构单元之间信号和数据传输的媒介，因此，选择合适的纳米连接导线一直是近年来研究的热点。在半导体行业中，金属铜由于具有良好的导热、导电性能被广泛应用，但当金属铜材料被制成纳米尺度结构时，容易被氧化且变得不稳定，从而限制了其在纳米器件结构互连中的应用。
锥形与金字塔形场发射尖端电学特性分析
场发射 仿真 真空电子器件
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2016/8/24
场致电子发射具有高效、响应快等优点，有着广泛的应用前景。锥形和金字塔形尖端是两种常见的场发射尖端结构。主要分析了这两种尖端结构的场发射电学特性，并在此基础上提出了进一步实现结构优化的途径。为此，建立了两种尖端的三维模型，并利用有限元法深入讨论了结构尺寸，包括尖端曲率半径、尖端与阳极间距以及尖端高度对电场分布以及电场强度的影响。结果表明，减小尖端曲率半径、缩短尖端与阳极间距、以及选择适当的锥体高度是...
南京大学王欣然、施毅教授课题组在二硫化钼电学输运领域取得重要进展（图）
王欣然 施毅 二硫化钼电学输运
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2013/10/28
我校电子科学与工程学院王欣然教授、施毅教授课题组在二硫化钼（MoS2）电学输运研究领域取得重要进展，相关研究成果于2013年10月23日发表在《自然通讯》（Nature Communication 4, 2642，2013)。
掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进
非易失性存储器 阻变存储器(RRAM) 掺杂技术
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2013/8/15
本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善. 实验上, 以Cu/ZrO2/Pt器件为基础, 分别使用Ti离子、Cu, Cu纳米晶对器件进行掺杂. 将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比, 发现掺杂的作用集中在四点:消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率. 除此之外, 使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性. 结果表明, 掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法.
LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究
掺氧多晶硅 低压化学汽相淀积 含氧量
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2009/10/20
本文通过测量电导率特性对LPCVD掺氧多晶硅(SIPOS)的电学特性进行了研究。结果表明,SIPOS的电学特性与其含氧量和退火温度有关。SIPOS的含氧量增加,其电导率下降;在退火过程中,随退火温度的不同,SIPOS的电导率的变化存在两个不同过程:低温退火过程中,电导率的变化与SIPOS中的Si-O键的分布和作用有关;而在高温退火过程中,电导率的变化则是SIPOS薄膜再结晶的结果。本文对SIPOS...