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随着现代科技的飞速发展和电子器件微小化进程的不断加速,传统的微电子学已逐渐进入纳米领域。在器件尺寸接近甚至小于电子的特征自由程时,量子现象开始占据统治地位。传统的微电子“scaling down”发展方式不再有效,电子器件的发展面临着制造和性能的新的瓶颈,人类开始进入后摩尔时代。 纳米器件物理与化学教育部重点实验室成立于2003年10月,2007和2012年两次通过教育部组织的实验室评估并获得优秀...
近年来,瞬态电子学愈发受到关注。瞬态电子器件能够在完成预设的特定功能后自行降解于环境中,从而避免处理、回收电子废弃物所带来的困难以及处理不当所导致的环境污染。尽管目前利用转印法在水溶性衬底上制备瞬态电子器件是可行的,然而这一方法产率较低,电路复杂度有限,也难以大规模制备。近日,北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员课题组,以碳纳米管网络薄膜作为沟道材料,通...
近日,北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员课题组以碳纳米管网络薄膜作为沟道材料,通过转移加工技术,实现了晶圆规模、可在环境中自行降解、具有高产率和高均一性的电子元器件和集成电路,并且在一个人造生态系统中实现了对环境参数的监测和自行降解。课题组充分利用碳管低温工艺的优势,在环境可降解的柔性基底上构建基本电子元器件和集成电路,解决转印技术产率低的问题:一方面...
2019年6月29日,作为第21届中国科学技术协会年会的重要活动之一,第15届中国青年科技奖颁奖大会暨青年科技人才论坛在哈尔滨工业大学举行。本届评选活动从1167名有效候选人中评审产生了100位获奖者,其中10人获特别奖项。由中国电子学会推荐的北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授榜上有名。张志勇长期从事碳基纳米电子器件和集成电路研发,致力于探索后摩尔时代的...
北京大学信息科学技术学院微纳电子学系张海霞教授课题组日前在纳米科学技术领域重要期刊《纳米能源(Nano Energy)》上发表综述文章《摩擦发电机脉冲输出的电源管理与能量存储》(Power management and effective energy storage of pulsed output from triboelectric nanogenerator, doi.org/10.101...
半导体碳纳米管被认为是构建纳米晶体管的理想沟道材料,有望推动未来电子学的发展。在过去的二十多年间,基于碳管的器件和电路得到广泛研究,并在器件物理、性能研究探索、电路制备等领域取得了巨大进展。碳基电子学的进一步发展,特别是碳基集成电路的实用化推进,很大程度上依赖于大面积制备、高半导体纯度的高质量碳纳米管材料。构建碳基集成电路的理想材料是平行排列的高密度半导体碳纳米管阵列,但目前的制备技术仍难以实现。...
2019年4月20—21日,第十四届中国电子信息技术年会在安徽省合肥市举行。会议期间,中国电子学会常务理事、会士,评审委员会副主任委员尹浩院士发布了“2019电子信息领域优秀科技论文”,并为获奖的8篇论文作者代表颁发证书。由北京大学信息科学技术学院电子学系/纳米器件物理与化学教育部重点实验室杨英君博士、丁力副研究员担任第一作者,彭练矛、张志勇教授担任通讯作者的论文《传输时间为亚10纳秒的碳纳米管网...
近红外二区成像组织穿透深,时空分辨率高,对于成像引导疾病的诊断和治疗具有重要意义。该领域发展的瓶颈化学问题是近红外分子探针发光强度低。北京大学化学与分子工程学院张俊龙课题组致力于发光稀土配合物的设计和合成,利用稀土f-f特征跃迁的特点,将近红外二区探针的研究范围从金属纳米材料、共轭聚合物、有机小分子拓展到金属配合物。该课题组在2017年报道的镱卟啉配合物量子产率高达25%(氘代溶剂中为67%)。其...
中国电子学会2018年度优秀硕士学位论文奖评选近日揭晓,北京大学信息科学技术学院2017届硕士研究生叶蕊所撰写的“高增益单晶铒钇硅酸盐化合物纳米线光源研究”学位论文被选为2018年度中国电子学会优秀硕士学位论文。叶蕊是信息与通信研究所、区域光纤通信网与新型光通信系统国家重点实验室王兴军教授指导的硕士研究生,她在硕士期间主要开展高增益单晶铒钇硅酸盐化合物纳米线光源方面的研究,在国内外期刊和重要学术会...
北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授课题组提出利用“金属工程”的策略,通过基于金(Au)设计孔洞状的底层等离激元结构来实现在片光操控。与此同时,由于金膜具有纳米量级的平整度,满足构建顶层有源器件对基片平整度的要求,从而避免机械抛光工艺,简化了制备流程。在制备等离激元结构的同时,采用金制备所有的互联线以及静电栅结构。由于低维半导体材料具有原子层尺寸的厚度,故而器件极...
近日,北京大学工学院刘谋斌研究员受邀担任国际期刊Engineering Analysis with Boundary Elements(简称EABE)副主编。EABE是国际上工程仿真分析与数值模拟领域的重要期刊,致力于发展边界元及其它降网格方法,以克服传统网格类方法的不足,并用于模拟分析各种具有挑战性的工程科学问题。该期刊最新的SCI影响因子为2.138。刘谋斌担任EABE副主编后,将主要负责无网...
近日,北京大学的彭海琳教授课题组与牛津大学的陈宇林教授团队合作,揭示了超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。他们首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材,其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs(可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比),并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后,在超高真空条件下,研究组对所得Bi2O...
北京大学信息科学技术学院、固态量子器件北京市重点实验室徐洪起“千人计划”教授课题组与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员课题组合作,在基于半导体InAs纳米线多量子点量子计算器件的研究中取得了一系列重要进展。近日,利用砷化铟(InAs)纳米线,采取先进微纳加工工艺技术,制作具有高调控性的耦合双量子点量子器件,构建了稳定的双量子点器件二电子泡利自旋阻塞态,并通过对器件中二电子...

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