搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 电子结构”相关记录16条 . 查询时间(0.559 秒)
共参杂型高居里温度稀磁半导体的电子结构设计、磁性调控和材料开发
中国科学院物理研究所调控电子结构与晶体结构设计高比能和高稳定钠离子电池正极材料
调控电子结构 晶体结构 钠离子电池 正极材料
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2023/6/28
钠离子层状氧化物正极材料的能量密度由氧化还原电对可实现的电荷转移数和工作电压决定。为了提高能量密度研究人员提出了多种策略：例如，设计具有较多氧化还原活性中心的高镍和富锰正极材料；触发正极材料的阴离子氧化还原反应等。然而，高Ni含量会增加电池成本，富Mn材料因Mn3+的Jahn-Teller畸变具有较差的倍率性能和结构稳定性，阴离子氧化还原易造成晶格氧流失，导致电极动力学缓慢、电压滞后和电压衰减。因...
中国科学院力学所在化学无序材料电子结构预测方面取得进展（图）
化学无序材料 电子结构 预测 阴离子
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2023/6/27
确定材料的微结构是认识和改性材料的前提。化学无序材料指晶格有序但元素成分无序的一类材料。从化学成分的角度来看，化学无序材料可分为阴离子、阳离子和缺陷对应体，可以简单地认为是阴离子、阳离子和缺陷占据了非周期位点。化学无序材料由于其独特的性质在半导体、高温超导体、金属合金、陶瓷和沸石催化剂等领域被广泛应用。研究无序材料的结构对于理解无序材料性质和指导实验具有非常重要的价值。因为部分晶格位点的原子占据不...
中国科学院物理研究所在掺杂Mott绝缘体的电子结构演变研究中获进展（图）
掺杂Mott 绝缘体 电子结构演变
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2021/3/16
中国科学院物理研究所／北京凝聚态物理国家研究中心超导国家重点实验室周兴江研究组博士胡成等，与极端条件物理重点实验室靳常青研究组的博士赵建发以及凝聚态理论与材料计算重点实验室的向涛院士合作，利用高分辨角分辨光电子能谱技术，对新型铜氧化物母体Ca3Cu2O4Cl2的电子结构及其掺杂演变进行了系统的研究，取得了重要进展，为掺杂Mott绝缘体的电子结构演变和铜氧化物高温超导体的微观理论研究提供了重要信息。
北京大学化学与分子工程学院彭海琳课题组成功解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
北京大学化学与分子工程学院 彭海琳 课题组 超高迁移率层状 Bi2O2Se 半导体 电子结构
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2018/9/19
近日，北京大学的彭海琳教授课题组与牛津大学的陈宇林教授团队合作，揭示了超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。他们首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O...
中科院超导电子学卓越创新中心、上海微系统所信息功能材料国家重点实验室沈大伟研究员团队利用超高分辨角分辨光电子能谱技术首次在天然形成范德瓦尔斯异质结(naturally occurring vdWHs)材料体系 (PbSe)1.16(TiSe2)m中观测到显著的层间电荷转移现象，并进而通过结构和温度改变实现了对其以及包括超导等多种衍生新奇物性的有效调控。由于层间电荷转移现象被认为普遍存在于人工合成范...
获得电子结构信息是揭示非常规超导形成机制的重要前提，但人们对1111型铁基超导的电子结构了解甚少。中国科学院超导电子学卓越创新中心、中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室牟刚团队，与日本国立材料科学研究所Taichi Terashima课题组等合作，在前期成功获得高质量、大尺寸1111体系CaFeAsF单晶的基础上，利用强磁场下的量子振荡效应，首次获得该材料的电子结构信息。相关...
从2008年铁基超导发现到今天，寻找具有更高超导转变温度的超导材料和理解高温超导电性的产生机理是科学家追寻的梦想。FeSe是铁基超导体里结构最简单的材料，但因为缺少高质量单晶材料，对其电子结构的研究却是极为匮乏。最近，清华大学薛其坤研究组和中科院物理所周兴江研究组利用STM和ARPES发现，在SrTiO3衬底上生长的单层FeSe薄膜，具有铁基超导体里最大的超导能隙，并可能对应着高达65K的超导转变...
2011年11月8日-11日，来自中德两国的专家学者齐聚电子科技大学，就“电子结构计算及其在材料科学中的应用”展开深入探讨。
分子电子结构的造型系统
计算机应用 三维立体造型 分子图形
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2009/9/23
本文叙述了一个实用的分子电子结构的造型系统,用来辅助研究分子内部的微观状态(如电子波函数、电荷密度、静电势和空间的分布等)。该造型系统将在VAX-11/780上得到的分子轨道计算结果在微机仿真图形工作站用三维网格图和云雾状点图表示出来。它为研究分子内部电子结构以及新材料的设计提供了有效的辅助工具。本文以抗肿瘤药物分子为研究对象,取得了初步结果。
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究
3C-SiC 电子结构 第一性原理计算
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2009/5/25
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函，电子波函数采用平面波基矢展开，并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用，对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究．对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算，结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底，随着掺杂浓度的增加，导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动，导带底移动速度要大于价带顶，...
掺氮3C-SiC电子结构的第一性原理研究
掺氮 3C-SiC 电子结构 第一性原理计算
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2009/1/30
采用广义梯度近似方案处理电子间相互作用的交换关联能量泛函，电子波函数采用平面波基矢展开，并采用超软赝势近似离子实与价电子间相互作用，对掺氮(3×3×3)3C-SiC超晶胞电子结构进行了第一性原理研究．对不同掺氮浓度3C-SiC超晶胞的能带结构和态密度进行计算，结果表明氮原子的2p态和2s态分别占据价带顶和导带底，随着掺杂浓度的增加，导带底和价带顶的位置逐渐向低能端移动，导带底移动速度要大于价带顶，...
掺氟对Y-Ba-Cu-O高温超导体电子结构的影响
Y-Ba-Cu-O超导体 氟掺杂 态密度
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2008/8/15
采用Recursion方法计算了不同掺氟量和不同替代位置下Y-Ba-Cu-O的电子结构,
从掺氟Y-Ba-Cu-O各晶位的态密度(DOS), 可进一步得到Fermi能EF、
Fermi能级处的态密度N(EF)以及各晶位原子价等重要数据. 各模型的计算
结果表明, 掺入氟后引起CuO2平面上Cu的原子价升高和O的价位变得更负,
使Cu位空穴数目增加和O位空穴数目减少, 且以后者的变化为主. ...
Nin(n=2—6)原子簇的电子结构和磁性研究
Nin原子团簇 对称 电子结构
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2008/8/4
采用MS-Xα方法研究了Nin (n=2—6)原子簇的电子结构和原子磁矩, 发现团簇的几何对称性对原子磁矩和电子态密度的分布有重要影响. 具有Oh点群对称的八面体原子簇Ni6的3Eg轨道上存在很强的负交换耦合, 呈现反铁磁耦合趋势; 具有C3v点群对称的三边金字塔结构的原子簇Ni5位于塔顶点的Ni原子与基面上的Ni原子磁矩方向相反, 但大小不等, 呈现出亚铁磁交换耦合特征. 与金属Ni相比, 有些...