工学 >>> 电子科学与技术 >>> 电子技术 光电子学与激光技术 半导体技术 电子科学与技术其他学科
搜索结果: 1-15 共查到知识库 电子科学与技术 集成电路相关记录278条 . 查询时间(0.046 秒)
22纳米集成电路核心工艺     22纳米  集成电路  核心工艺       < 2023/8/15
22纳米集成电路核心工艺。
纳米集成电路关键技术及应用。
22-14纳米集成电路器件工艺先导技术。
28nm及先导工艺集成电路可制造性设计关键技术与应用。
28nm及特色先导工艺集成电路设计产业化关键技术与应用。
GJB7715-2012军用集成电路IP核通用要求。
成都市集成电路行业协会章程。
南京市集成电路行业协会章程。
上海市集成电路行业协会章程。
模拟集成电路以无线传感网络(WSN)节点芯片和系统为研究对象,包括WSN节点芯片、应用系统和平台、模式识别三个方向。
数字集成电路方向专注于大规模数字集成电路设计,主要包括:低功耗电路架构设计、嵌入式SRAM设计、GPS数字基带设计、可重构处理器架构等。
功率系统组致力于功率开关变换器的研究与开发,其中重点主要包括2个研究方面:1)功率开关电源——利用开关器件和储能元件将输入的电信号(直流或者交流)转化为特定应用场合需要的恒压或者恒流输出电信号;2)开关磁阻电机驱动器——利用多相开关桥臂将输入的电信号(直流或者交流)转化为高频输出信号以控制电机的转动。此外在工业控制等综合应用系统方面也进行了相关产品的研发工作。
器件与工艺方向的研究专注于功率半导体技术,主要包括:功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、高压电路设计及相关功率可靠性研究等。
双色激光引信在克服云烟干扰方面具有重要价值。为了减小引信体积,保障导弹内部空间的充裕性,设计了一种基于BCD工艺的双色激光引信专用集成电路芯片。首先,对现有双色激光引信的结构和工作原理做出了详细介绍,引出了单芯片设计的思路和方法,并给出了该芯片集成的子电路的设计方法和仿真结果。该芯片使用0.25 μm的BCD工艺制造。经测试使用该芯片驱动双色激光器,芯片供电电压5 V,激光器支路供电电压27 V时...
中间绑定测试能够更早地检测出3D堆叠集成电路绑定过程引入的缺陷,但导致测试时间和测试功耗剧增.考虑测试TSV、测试管脚和测试功耗等约束条件,采用整数线性规划方法在不同的堆叠布局下优化中间绑定测试时间.与仅考虑绑定后测试不同,考虑中间绑定测试时,菱形结构和倒金字塔结构比金字塔结构测试时间分别减少4.39%和40.72%,测试TSV增加11.84%和52.24%,测试管脚减少10.87%和7.25%....

中国研究生教育排行榜-

正在加载...

中国学术期刊排行榜-

正在加载...

世界大学科研机构排行榜-

正在加载...

中国大学排行榜-

正在加载...

人 物-

正在加载...

课 件-

正在加载...

视听资料-

正在加载...

研招资料 -

正在加载...

知识要闻-

正在加载...

国际动态-

正在加载...

会议中心-

正在加载...

学术指南-

正在加载...

学术站点-

正在加载...