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中国科学院合肥物质科学研究院专利：孔隙率、孔径可控的镁泡沫材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 孔隙率 孔径可控 镁泡沫材料
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2023/12/12
中国科学院合肥物质科学研究院专利：孔隙率、孔径可控的镁泡沫材料及其制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院专利：高孔隙率通孔泡沫金属的制备方法
中国科学院合肥物质科学研究院 专利 高孔隙率 通孔泡沫金属
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2023/11/28
中国科学院合肥物质科学研究院专利：高孔隙率通孔泡沫金属的制备方法
中国科学院金属研究所专利：多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备
中国科学院金属研究所 专利 多孔碳化硅 载体表面 沸石涂层材料
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2023/10/18
本发明属于结构催化剂及其应用技术领域,具体的是涉及一种多孔碳化硅载体表面高晶间孔隙率沸石涂层材料及其制备方法。该材料涉及到的多孔碳化硅载体具有宏观多孔结构,如泡沫结构、蜂窝结构。沸石涂层具有高的晶间孔隙率。该方法通过胶态沸石导向剂对碳化硅载体表面进行改性,实现沸石晶体在碳化硅载体表面择优生长；控制二次生长溶液的碱度、营养物质浓度及碱金属离子加入量,控制沸石晶间孔隙率。该涂层材料具有高晶间孔隙率,沸...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种孔径、孔型可调的高孔隙率Mn-Cu基高阻尼合金的制作方法
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
中国科学院金属研究所 专利 高孔隙率 钇硅氧 多孔陶瓷
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2023/8/28
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及高强度钇硅氧多孔陶瓷的制备方法
中国科学院金属研究所专利：一种超高孔隙率和低坯体收缩率Y2SiO5多孔陶瓷的制备方法。
中国科学院金属研究所专利：一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法
中科院金属所 专利 纳米碳化硅 陶瓷
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2023/6/25
专利名称：一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法。
中国科学院金属研究所专利：一种低孔隙率和高非晶度的铝基非晶涂层及其制备装置和制备方法。
陶瓷UO2孔隙率与孔隙分布的定量测量
陶瓷UO2 孔隙率 孔隙分布
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2009/8/27
借助大型金相显微镜，对陶瓷UO2的孔隙率与孔隙分布金相定量测量进行研究。研究结果表明：利用组合物镜(100×，50×，20×，5×)测量陶瓷UO2的孔隙率与孔隙分布比利用单个物镜(20×)测量所得结果精度高，分布曲线更光滑；利用低倍物镜(20×，10×，5×)摄取的金相图像测量其孔隙率与孔隙分布时，采取图像背底固定法较好，利用高倍物镜(100×，50×)摄取的金相图像测量其孔隙率与孔隙分布时，采取...
研究了不同孔隙特征多孔NiTi合金的内耗与相变行为及其频率响应，提出用等效内耗参数表征多孔NiTi合金实体部分的阻尼能力。结果表明：多孔NiTi合金内耗峰产生的主要诱发因素是相变及应力诱发下各种界面(含孪晶界、相界面等)的迁移；在不同的加载频率下，多孔NiTi合金的内耗值曲线按双曲线规律变化；在相同的频率和振幅下，孔隙率、孔隙尺寸和开孔度的增加导致与界面迁移相关内耗幅值有所削弱；各内耗峰值温度也受...
纳米SiO2复合处理对7A52铝合金微弧氧化陶瓷层孔隙率及性能的影响
微弧氧化 陶瓷层 纳米二氧化硅 孔隙率
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2013/10/8
通过向电解液中添加纳米二氧化硅颗粒(n-SiO2),经微弧氧化,在7A52铝合金表面制备n-SiO2复合陶瓷层,研究n-SiO2复合处理对陶瓷层孔隙率及性能的影响。结果表明,经n-SiO2复合处理后,陶瓷层孔隙尺寸减小,孔隙率降低,致密性提高,因而陶瓷层显微硬度和抗盐雾腐蚀性能显著提高。n-SiO2在放电通道处沉积是陶瓷层致密性提高的主要原因。
采用RTM工艺制备石英/苯并噁嗪复合材料,研究了主要工艺参数对其孔隙率的影响,并和石英/钡酚醛复合材料进行了对比。结果表明,较之纯低压或纯高压的注射方式,先低压后高压的注射方式可显著降低孔隙率;注射温度对孔隙率有一定影响,较佳的注射温度应是树脂黏度达到100～500mPa·s时的温度;孔隙率随着纤维体积含量的增加而减小,而制件厚度对其影响不大。在给定的先1atm后4.5atm的注射压力,50%纤维...
利用低温分解型造孔剂与梯级热等静压烧结和常规烧结的匹配工艺成功制备出了梯度孔隙率及大孔隙尺寸多孔NiTi形状记忆合金；多孔合金的孔隙率为30～61％，孔隙平均尺寸可根据不同预处理工艺在50～500 μm之间变化，开孔度可达85％，且具有较高的开孔率。结果还表明，所制备的梯度孔隙率多孔NiTi合金具有良好的力学性能，线性超弹性应变大于4％；热分析和X射线衍射分析表明，所制备的多孔合金呈现明显的马氏体...